北京智芯微电子科技有限公司;浙江大学陈燕宁获国家专利权
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龙图腾网获悉北京智芯微电子科技有限公司;浙江大学申请的专利半导体器件界面缺陷测试方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119689196B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411772742.6，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权半导体器件界面缺陷测试方法及系统是由陈燕宁;刘芳;吴波;张睿;姜益;邓永峰;罗宗兰设计研发完成，并于2024-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件界面缺陷测试方法及系统在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，提供一种半导体器件界面缺陷测试方法及系统。所述方法包括：在半导体器件的栅极施加带有上升沿和下降沿的脉冲电压信号，在上升沿阶段，界面缺陷捕获少数载流子，在捕获时间小于上升沿时间的时间段内，实时检测界面缺陷捕获少数载流子产生的衬底电流；在下降沿阶段，界面缺陷释放少数载流子，在释放时间小于下降沿时间的时间段内，实时检测界面缺陷释放的少数载流子与多数载流子发生复合产生的复合电流；根据实时检测的衬底电流以及复合电流，计算捕获时间小于上升沿时间且释放时间小于下降沿时间的界面缺陷密度。本发明通过调控上升沿和下降沿时间的数值，即可实现对指定偏压下不同时间常数的界面缺陷的精确表征。
本发明授权半导体器件界面缺陷测试方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件界面缺陷测试方法，其特征在于，包括： 在低电平的第一时刻，在半导体器件的栅极施加带有上升沿和下降沿的脉冲电压信号，在上升沿阶段，半导体器件的界面缺陷捕获少数载流子，在捕获时间小于上升沿时间的时间段内，实时检测界面缺陷捕获少数载流子产生的衬底电流； 保持栅极偏置于高电平电压，并维持至第二时刻，以保证所有的界面缺陷都捕获少数载流子； 在高电平的第二时刻，栅极的偏置电压逐渐下降到低电平，在下降沿阶段，界面缺陷释放少数载流子，在释放时间小于下降沿时间的时间段内，实时检测界面缺陷释放的少数载流子与半导体器件中的多数载流子发生复合产生的复合电流； 根据实时检测得到的衬底电流以及复合电流，计算捕获时间小于上升沿时间，且释放时间小于下降沿时间的界面缺陷密度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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