江苏富乐华半导体科技股份有限公司;江苏富乐华功率半导体研究院有限公司武威获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏富乐华半导体科技股份有限公司;江苏富乐华功率半导体研究院有限公司申请的专利一种封装用覆铝氮化铝陶瓷基板及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119640266B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411730999.5，技术领域涉及：C23C28/02；该发明授权一种封装用覆铝氮化铝陶瓷基板及其制备方法是由武威;高远;王斌;周鑫设计研发完成，并于2024-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种封装用覆铝氮化铝陶瓷基板及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种封装用覆铝氮化铝陶瓷基板及其制备方法，涉及半导体技术领域；本发明通过冷喷工艺在双面覆铝氮化铝瓷片的薄铝面上形成合金涂层，再进行扩散烧结焊接铜层，备用；通过磁控溅射和化学镀铜工艺，对金刚石粉体溅射铌膜和化学镀铜，得到镀铜金刚石，随即通过冷喷工艺处理，在双面覆铝氮化铝瓷片的厚铝面上冷喷镀铜金刚石，得到铜金刚石层；再对双面覆铝氮化铝瓷片依次进行预处理活化和表面镀镍，得到最终的覆铝氮化铝陶瓷基板。本发明得到的成品具有良好的热导率，有效的降低热阻，具有良好的热循环可靠性。
本发明授权一种封装用覆铝氮化铝陶瓷基板及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种封装用覆铝氮化铝陶瓷基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1：将铜片通过扩散烧结焊接在双面覆铝氮化铝瓷片的薄铝面上，备用； 步骤2：对金刚石微粉进行预处理，再镀铜，得到镀铜金刚石微粉； 步骤3：取步骤2得到的镀铜金刚石微粉，通过冷喷工艺，在步骤1得到的双面覆铝氮化铝瓷片的厚铝面上得到铜金刚石层，再对双面覆铝氮化铝瓷片依次进行预处理活化和表面镀镍，得到最终的覆铝氮化铝陶瓷基板； 对步骤1中双面覆铝氮化铝瓷片的薄铝面进行预处理，用丙酮超声清洗表面杂质和喷砂粗化后，在双面覆铝氮化铝瓷片的薄铝面上冷喷涂一层合金粉末，再焊接铜片；其中合金粉末中各元素含量为：按质量百分比计，2.00-4.00%Cu、0.20-0.40%Mg、18.00-24.00%Si、0.20-0.40%Fe、0.1-0.3%Sc及余量为Al； 步骤2中金刚石微粉预处理后，磁控溅射镀W或Nb膜，再镀铜；其中磁控溅射的功率为100-200W，施加的偏压-60V；镀膜厚度为200-300nm。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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