浙江大学赵俊杰获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利一种基于层状化合物的低介电薄膜及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119650216B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411733953.9，技术领域涉及：H01B17/56；该发明授权一种基于层状化合物的低介电薄膜及其制备方法与应用是由赵俊杰;袁舒畅;杨政设计研发完成，并于2024-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于层状化合物的低介电薄膜及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明涉及集成电路制造技术领域，公开了一种基于层状化合物的低介电薄膜及其制备方法与应用。本发明提供一种层状化合物：[MxOHy]z+[An‑zn].mH2O或[M1x1M2x2OHy]z+[An‑zn].mH2O，其中[MxOHy]z+或[M1x1M2x2OHy]z+构成带正电荷的层板，扩大的层间距可插入阴离子An‑；以及基于所述层状化合物的低介电薄膜的制备方法。该薄膜具有优异的介电性能k1.9，低介电损耗0.02，绝缘性好，同时保持了出色的杨氏模量YM20GPa，力学强度达到了后端互连介质要求，在芯片后端互连产业具有广阔的实际应用前景；同时可用作晶体管绝缘层材料，降低薄膜晶体管绝缘层与有源层界面陷阱，提高晶体管载流子迁移率与开关比。
本发明授权一种基于层状化合物的低介电薄膜及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种基于层状化合物的低介电薄膜，其特征在于，所述层状化合物为[MxOHy]z+[An-z]·mH2O或[M1x1M2x2OHy]z+[An-z]·mH2O；其中，M，M1，M2为金属离子，An-为层间阴离子，x、x1、x2、y、z、m、n为非负数；所述[MxOHy]z+或[M1x1M2x2OHy]z+构成带正电荷的层板，在扩大的层间距中插入阴离子，层间阴离子An-通过范德华力支撑起层状结构；所述金属离子为Li+、Ca2+、Mg2+、Al3+、Fe2+、Co2+、Ni2+、Cu2+、Zn2+、Mn2+、Y2+、Yb2+中的一种或多种；所述低介电薄膜由层状化合物经旋涂沉积形成。
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