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龙图腾网获悉英通微半导体材料(中山)有限公司申请的专利引线框制作方法及引线框获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119650431B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411728140.0，技术领域涉及：H01L21/48；该发明授权引线框制作方法及引线框是由林英洪;杨小凡;林斌设计研发完成，并于2024-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本引线框制作方法及引线框在说明书摘要公布了：本发明公开了一种引线框制作方法，采用先电镀后蚀刻的加工工序，先通过电镀工序在铜基板上选择性电镀形成镀层，而后再通过蚀刻工序对铜基板表面和镀层表面同时进行蚀刻，由于蚀刻溶液对铜基板的蚀刻速度大于对镀层的蚀刻速度，因此可以制作出不同蚀刻深度的蚀刻结构，由此可以实现更加复杂的线路图形的制作，并且不需要进行多次蚀刻，有利于提高引线框的加工效率。此外，也可以将第二蚀刻结构加工成较浅的凹槽以作为粗化结构使用，由此可以提高引线框的封装可靠性，且无需进行额外的粗化工序，因此也有利于提高引线框的加工效率。此外，本发明还公开了一种采用上述引线框制作方法制作形成的引线框。

本发明授权引线框制作方法及引线框在权利要求书中公布了：1.引线框制作方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：电镀工序，在铜基板（100）上进行选择性电镀形成镀层； S2：蚀刻工序，通过蚀刻溶液对所述铜基板（100）表面进行蚀刻形成第一蚀刻结构，并对所述镀层表面蚀刻形成第二蚀刻结构，其中，所述蚀刻溶液对所述铜基板（100）的蚀刻速度大于对所述镀层的蚀刻速度； 所述铜基板（100）具有粗化区，所述镀层包括第一镀层（110），所述第二蚀刻结构包括第一凹槽结构； 所述步骤S1包括：在所述粗化区电镀形成的所述第一镀层（110）； 所述步骤S1包括：通过所述蚀刻溶液对所述第一镀层（110）表面蚀刻形成所述第一凹槽结构，所述第一凹槽结构包括多个间隔布置的第一凹槽（111）； 所述铜基板（100）具有图案区，所述图案区具有全蚀刻位、半蚀刻位和浅蚀刻位，所述镀层包括位于所述浅蚀刻位的第二镀层（120），所述第一蚀刻结构包括全蚀刻结构（130）和半蚀刻结构（140），所述第二蚀刻结构包括浅蚀刻结构（121）； 所述步骤S1包括：在所述浅蚀刻位电镀形成所述第二镀层（120）； 所述步骤S2包括：通过所述蚀刻溶液从所述铜基板（100）上表面和下表面同时对所述全蚀刻位进行蚀刻形成所述全蚀刻结构（130），所述全蚀刻结构（130）贯穿所述铜基板（100）；通过所述蚀刻溶液对所述半蚀刻位表面蚀刻形成所述半蚀刻结构（140）；通过所述蚀刻溶液对所述第二镀层（120）的表面进行蚀刻形成所述浅蚀刻结构（121），所述浅蚀刻结构（121）延伸至所述铜基板（100）的内部，所述全蚀刻结构（130）、所述半蚀刻结构（140）、所述浅蚀刻结构（121）组合形成线路图形； 采用先电镀后蚀刻的加工工序，先通过电镀工序在铜基板（100）上选择性电镀形成镀层，而后再通过蚀刻工序对铜基板（100）表面和镀层表面同时进行蚀刻，由于蚀刻溶液对铜基板（100）的蚀刻速度大于对镀层的蚀刻速度，使得第一蚀刻结构的深度大于第二蚀刻结构的深度； 至少一个所述半蚀刻结构（140）与至少一个所述浅蚀刻结构（121）对应布置于所述铜基板（100）相对的两侧表面； 还包括步骤S3：注塑，将注塑料（170）填充至所述全蚀刻结构（130）、所述半蚀刻结构（140）以及所述浅蚀刻结构（121）内，形成位于所述注塑料（170）内部的中间线路层。

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