甬江实验室林宁获国家专利权
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龙图腾网获悉甬江实验室申请的专利多孔碳化硅材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119019175B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411481200.3，技术领域涉及：C04B35/573；该发明授权多孔碳化硅材料及其制备方法是由林宁设计研发完成，并于2024-10-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本多孔碳化硅材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及多孔碳化硅材料及其制备方法，所述多孔碳化硅材料的制备方法包括：以多孔碳为载体，通入保护气体和气相硅源进行化学气相沉积，得到第一中间体；继续通入保护气体，并将所述第一中间体进行煅烧处理，得到第二中间体；除去所述第二中间体中的单质碳和或单质硅，得到多孔碳化硅材料。本发明的制备方法中，气相硅源可以在多孔碳内部原位分解成无定形的纳米硅，然后在煅烧处理时，纳米硅会与碳原位反应生成碳化硅骨架，使得到的多孔碳化硅材料基本保留了多孔碳的骨架结构，因此，本发明的制备方法可以有效控制多孔碳化硅材料的孔隙结构，并可以选用不同孔结构的多孔碳作为模板可控制备不同孔结构的多孔碳化硅材料。
本发明授权多孔碳化硅材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种多孔碳化硅材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 以多孔碳为载体，通入保护气体和气相硅源进行化学气相沉积，得到第一中间体，其中，所述多孔碳的比表面积为1200m²g-2300m²g、孔容为0.1cm³g-5.0cm³g、孔径为1nm-1μm，通入保护气体和气相硅源进行化学气相沉积的步骤中，所述气相硅源选自甲硅烷、硅乙烷或四氯化硅中的至少一种，温度为500℃-600℃，所述气相硅源与所述保护气体的流量比为1:1-5:1； 继续通入保护气体，并将所述第一中间体进行煅烧处理，得到第二中间体，其中，煅烧处理的温度为800℃-1100℃，时间为5h-7h； 除去所述第二中间体中的单质碳和或单质硅，得到多孔碳化硅材料。
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