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龙图腾网获悉江苏芯德半导体科技股份有限公司申请的专利一种通孔基板的双面封装混合芯片结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223218304U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422489687.1，技术领域涉及：H01L23/498；该实用新型一种通孔基板的双面封装混合芯片结构是由陈晗玥设计研发完成，并于2024-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种通孔基板的双面封装混合芯片结构在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种通孔基板的双面封装混合芯片结构，包括基板、贴装于基板的正背面的正面芯片、背面芯片，基板具有金属柱和贯穿基板的通孔，贴装正、背面芯片后，通过在基板的一侧填充塑封料且塑封料通过基板的通孔流向基板的另一侧同时形成塑封层一和塑封层二，塑封层一、二包裹正、背面芯片，塑封层一、二内均具有导电柱，导电柱与基板的金属柱互联，通过导电柱将基板的线路引出至塑封层一、二的表面，在塑封层一、二的表面分别制作出重布线层一、二。本实用新型基板正背面堆叠多个正装芯片，利用基板的通孔只需一次塑封完成双面封装，通过2次RDL与导电柱将多颗芯片互联，提高封装可靠性，满足了高性能、高密度、小型化的市场需求。

本实用新型一种通孔基板的双面封装混合芯片结构在权利要求书中公布了：1.一种通孔基板的双面封装混合芯片结构，其特征在于，包括： 基板1，所述基板1具有朝向相反的正面和背面，所述基板1内设有用于导通基板1两面的金属柱11，所述基板1设有贯穿基板1的通孔12，所述通孔12用于在塑封过程中为融化的塑封料提供流动通道，以实现基板1的两侧同时塑封； 正面芯片2，所述正面芯片2贴装于基板1的正面； 背面芯片3，所述背面芯片3贴装于基板1的背面； 塑封层一4，所述塑封层一4位于所述基板1的正面，包裹所述正面芯片2； 塑封层二5，所述塑封层二5位于所述基板1的背面，包裹所述背面芯片3； 重布线层一7，所述重布线层一7位于塑封层一4的表面； 重布线层二8，所述重布线层二8位于塑封层二5的表面； 其中，所述塑封层一4和塑封层二5通过在基板1的一侧填充塑封料且塑封料通过基板1的通孔12流向基板1的另一侧同时形成，所述塑封层一4和塑封层二5内均设有导电柱6，所述导电柱6与基板1的金属柱11互联，通过所述导电柱6将基板1的线路引出至塑封层一4和塑封层二5的表面。

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