深圳傲威半导体有限公司吴昊获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳傲威半导体有限公司申请的专利一种保护效果好的低容ESD芯片获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223218307U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422492558.8，技术领域涉及：H01L23/60；该实用新型一种保护效果好的低容ESD芯片是由吴昊;陆亚斌;王成设计研发完成，并于2024-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种保护效果好的低容ESD芯片在说明书摘要公布了：本实用新型涉及电子科学技术领域，特别涉及一种保护效果好的低容ESD芯片，包括第一支路、第二支路以及第三支路，所述第一支路处于所述第二支路和第三支路之间，且所述第二支路和第三支路相对所述第一支路设有深隔离槽；所述第一支路从上到下依次包括SN层、N‑epi层以及P‑sub层，所述N‑epi层包绕于所述SN层的周缘，所述N‑epi层远离所述SN层的端面连接于所述P‑sub；所述第二支路和第三支路结构相同，所述第二支路从上到下依次包括SP层、N‑epi层、BN层以及P‑sub层，所述深隔离槽包绕于所述第二支路和第三支路。本实用新型旨在提高ESD芯片的保护效果。
本实用新型一种保护效果好的低容ESD芯片在权利要求书中公布了：1.一种保护效果好的低容ESD芯片，其特征在于，包括第一支路、第二支路以及第三支路，所述第一支路处于所述第二支路和第三支路之间，且所述第二支路和第三支路相对所述第一支路设有深隔离槽； 所述第一支路从上到下依次包括SN层、N-epi层以及P-sub层，所述N-epi层包绕于所述SN层的周缘，所述N-epi层远离所述SN层的端面连接于所述P-sub； 所述第二支路和第三支路结构相同，所述第二支路从上到下依次包括SP层、N-epi层、BN层以及P-sub层，所述深隔离槽包绕于所述第二支路和第三支路。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳傲威半导体有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市宝安区新安街道龙井二路3号中粮大厦1603B；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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