上海鑫雁微电子股份有限公司刘瑞华获国家专利权
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龙图腾网获悉上海鑫雁微电子股份有限公司申请的专利一种低成本霍尔芯片浪涌静电保护装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223218836U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422454112.6，技术领域涉及：H02H9/04；该实用新型一种低成本霍尔芯片浪涌静电保护装置是由刘瑞华;许明峰设计研发完成，并于2024-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低成本霍尔芯片浪涌静电保护装置在说明书摘要公布了：本实用新型涉及电路保护领域，具体来说是一种低成本霍尔芯片浪涌静电保护装置，包括：霍尔传感器HALL；运算放大器U1；NMOS晶体管Q1；PMOS晶体管Q2；限流电阻R1；电流检测电阻R2；MOS开关管栅极限流电阻R3；霍尔传感器输出端连接至运算放大器U1的正输入端；运算放大器U1输出端连接至NMOS晶体管Q1的栅极；NMOS晶体管Q1源极通过电流检测电阻R2连接至接地；NMOS晶体管Q1漏极通过限流电阻R1连接至PMOS晶体管Q2的源极；PMOS晶体管Q2漏极连接至电源正极；PMOS晶体管Q2栅极通过MOS开关管栅极限流电阻R3连接至NMOS晶体管Q1源极与电流检测电阻R2的连接点。
本实用新型一种低成本霍尔芯片浪涌静电保护装置在权利要求书中公布了：1.一种低成本霍尔芯片浪涌静电保护装置，其特征在于，包括 霍尔传感器HALL； 运算放大器U1； NMOS晶体管Q1； PMOS晶体管Q2； 限流电阻R1； 电流检测电阻R2； MOS开关管栅极限流电阻R3； 其中， 所述霍尔传感器HALL的输出端连接至所述运算放大器U1的正输入端； 所述运算放大器U1的输出端连接至所述NMOS晶体管Q1的栅极； 所述NMOS晶体管Q1的源极通过所述电流检测电阻R2连接至接地； 所述NMOS晶体管Q1的漏极通过所述限流电阻R1连接至所述PMOS晶体管Q2的源极； 所述PMOS晶体管Q2的漏极连接至电源正极； 所述PMOS晶体管Q2的栅极通过所述MOS开关管栅极限流电阻R3连接至所述NMOS晶体管Q1的源极与所述电流检测电阻R2的连接点。
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