无锡旷通半导体有限公司廖巍获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡旷通半导体有限公司申请的专利沟槽栅超结MOS结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223219399U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422452360.7，技术领域涉及：H10D30/60；该实用新型沟槽栅超结MOS结构是由廖巍;华路佳设计研发完成，并于2024-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本沟槽栅超结MOS结构在说明书摘要公布了：本实用新型涉及一种沟槽栅超结MOS结构，其包括第一导电类型衬底；第一导电类型外延层，设置在所述第一导电类型衬底的正面；第二导电类型体区设置在第一导电类型外延层的正面且位于第一导电类型外延层内；第二导电类型柱至少设置有两个，从第一导电类型外延层的正面延伸至第一导电类型外延层；沟槽栅结构设置在相邻的两个第二导电类型柱之间且从第二导电类型外延层的正面往背面延伸；第二导电类型掺杂柱和沟槽栅结构对应设置，设置在沟槽栅结构的背面；第一导电类型源区设置在第二导电类型体区的正面且位于第二导电类型体区内，本实用新型具有既能进一步的降低导通电阻，又能降低栅氧化层中的电场，保护栅氧化层的效果。
本实用新型沟槽栅超结MOS结构在权利要求书中公布了：1.一种沟槽栅超结MOS结构，其特征在于，包括： 第一导电类型衬底； 第一导电类型外延层，设置在所述第一导电类型衬底的正面； 第二导电类型体区，设置在所述第一导电类型外延层的正面且位于所述第一导电类型外延层内； 第二导电类型柱，至少设置有两个，从所述第一导电类型外延层的正面延伸至所述第一导电类型外延层； 沟槽栅结构，设置在相邻的两个所述第二导电类型柱之间且从所述第一导电类型外延层的正面往背面延伸； 第二导电类型掺杂柱，和所述沟槽栅结构对应设置，且设置在所述沟槽栅结构的背面并且往所述第一导电类型外延层背面延伸； 第一导电类型源区，设置在所述第二导电类型体区的正面且位于所述第二导电类型体区内。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人无锡旷通半导体有限公司，其通讯地址为：214142 江苏省无锡市新吴区新安街道清源路20号立业楼C521；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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