苏州大学夏天获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州大学申请的专利一种侧向外延生长的氮化镓结构及半导体器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223219403U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422453286.0，技术领域涉及：H10D62/85；该实用新型一种侧向外延生长的氮化镓结构及半导体器件是由夏天;曹冰;刘淼设计研发完成，并于2024-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种侧向外延生长的氮化镓结构及半导体器件在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种侧向外延生长的氮化镓结构及半导体器件，该氮化镓结构包括：衬底层、掩膜层以及氮化镓外延层，掩膜层包括交错分布的多个石墨烯掩膜结构和多个氧化物掩膜结构，石墨烯掩膜结构与氧化物掩膜结构均设置于衬底层上，且相邻的石墨烯掩膜结构与氧化物掩膜结构之间设置有空缺区域；氮化镓外延层填充空缺区域，且覆盖所有石墨烯掩膜结构与氧化物掩膜结构。本实用新型在衬底层上设置交错分布的石墨烯掩膜结构和氧化物掩膜结构，将石墨烯掩膜结构和氧化物掩膜结构共同作为掩膜，且二者之间形成纳米级空缺区域，填充成核生长的氮化镓，位错密度低，避免大量位错延伸至氮化镓外延层；无需先进的纳米量级光刻机刻蚀纳米级窗口，成本低。
本实用新型一种侧向外延生长的氮化镓结构及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种侧向外延生长的氮化镓结构，其特征在于，包括： 衬底层； 掩膜层，所述掩膜层包括交错分布的多个石墨烯掩膜结构和多个氧化物掩膜结构，所述石墨烯掩膜结构与所述氧化物掩膜结构均设置于所述衬底层上，且相邻的所述石墨烯掩膜结构与所述氧化物掩膜结构之间设置有空缺区域； 氮化镓外延层，所述氮化镓外延层填充所述空缺区域，且覆盖所有所述石墨烯掩膜结构与所述氧化物掩膜结构。
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