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龙图腾网获悉泰科天润半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种双沟道平面栅碳化硅LDMOS获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223219400U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422397432.2，技术领域涉及：H10D30/65；该实用新型一种双沟道平面栅碳化硅LDMOS是由周海;施广彦;胡臻;何佳设计研发完成，并于2024-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双沟道平面栅碳化硅LDMOS在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种双沟道平面栅碳化硅LDMOS，包括：第一N型源区连接碳化硅衬底；第一沟道区连接碳化硅衬底、第一N型源区；隔离区分别连接第一沟道区、第一N型源区、第一N型源区；第二沟道区连接至隔离区、第一N型源区；P型阱区连接隔离区、第二沟道区，P型阱区连接至第一N型源区；第二N型源区设于第一穿孔内，第二N型源区连接至隔离区，体二极管金属层设于第二穿孔内，体二极管金属层连接至隔离区；栅介质层连接P型阱区，源极金属层设于第三穿孔，源极金属层连接至第二N型源区及体二极管金属层；栅极金属层连接至所述栅介质层；漏极金属层连接至第一N型源区；在横向功率器件中进行双沟道结构设计，降低器件的导通电阻。

本实用新型一种双沟道平面栅碳化硅LDMOS在权利要求书中公布了：1.一种双沟道平面栅碳化硅LDMOS，其特征在于：包括： 碳化硅衬底， 第一N型源区，所述第一N型源区下侧面连接至所述碳化硅衬底上侧面； 第一沟道区，所述第一沟道区下侧面连接至所述碳化硅衬底上侧面，所述第一沟道区外侧面连接至所述第一N型源区内侧面； 隔离区，所述隔离区下侧面分别连接所述第一沟道区以及第一N型源区；所述隔离区外侧面连接所述第一N型源区内侧面； 第二沟道区，所述第二沟道区下侧面连接至所述隔离区上侧面，所述第二沟道区左侧面连接至所述第一N型源区； P型阱区，所述P型阱区下侧面连接至所述隔离区，所述P型阱区左侧面连接至所述第二沟道区右侧面，所述P型阱区右侧面连接至所述第一N型源区；所述P型阱区内设有第一穿孔； 第二N型源区，所述第二N型源区设于所述第一穿孔内，所述第二N型源区下侧面连接至所述隔离区上侧面，所述第二N型源区内设有第二穿孔； 体二极管金属层，所述体二极管金属层设于所述第二穿孔内，所述体二极管金属层下侧面连接至所述隔离区； 栅介质层，所述栅介质层连接至所述P型阱区，所述栅介质层内设有第三穿孔； 源极金属层，所述源极金属层设于所述第三穿孔，所述源极金属层下侧面分别连接至所述第二N型源区上侧面以及体二极管金属层上侧面； 栅极金属层，所述栅极金属层连接至所述栅介质层； 以及，漏极金属层，所述漏极金属层连接至所述第一N型源区。

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