中环领先(徐州)半导体材料有限公司;中环领先半导体科技股份有限公司李向阳获国家专利权
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龙图腾网获悉中环领先(徐州)半导体材料有限公司;中环领先半导体科技股份有限公司申请的专利检测装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223217179U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422398577.4，技术领域涉及：G01N1/24；该实用新型检测装置是由李向阳;黄末设计研发完成，并于2024-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本检测装置在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种检测装置，检测装置包括：籽晶轴和取样单元。检测装置用于单晶炉内金属污染的测量，单晶炉包括炉体，炉体内的上端具有副室，籽晶轴沿上下方向延伸且可相对副室在上下方向上移动，且籽晶轴适于围绕副室的中心轴线旋转，籽晶轴内穿设有沿上下方向延伸的气管；取样单元位于炉体外，取样单元具有取样管，取样管的一端与气管的上端连接，取样单元用于从气管抽取取样气体，并检测取样气体的金属浓度。根据本实用新型的检测装置，检测装置可以取样单晶炉内不同高度的气体以测量金属污染，准确性和可靠性高，有利于提高炉内单晶硅的纯度和成品率。
本实用新型检测装置在权利要求书中公布了：1.一种检测装置，其特征在于，用于单晶炉内金属污染的测量，所述单晶炉包括炉体，所述炉体内的上端具有副室，所述检测装置包括： 籽晶轴，所述籽晶轴沿上下方向延伸且可相对所述副室在上下方向上移动，且所述籽晶轴适于围绕所述副室的中心轴线旋转，所述籽晶轴内穿设有沿上下方向延伸的气管； 取样单元，所述取样单元位于所述炉体外，所述取样单元具有取样管，所述取样管的一端与所述气管的上端连接，所述取样单元用于从所述气管抽取取样气体，并检测所述取样气体的金属浓度。
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