昆明云锗高新技术有限公司刘得伟获国家专利权
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龙图腾网获悉昆明云锗高新技术有限公司申请的专利一种大尺寸锗单晶生长用温度梯度调控装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223214211U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422264677.8，技术领域涉及：C30B27/02；该实用新型一种大尺寸锗单晶生长用温度梯度调控装置是由刘得伟;李宝学;罗志刚;杨涛;林作亮;李健;段述慧设计研发完成，并于2024-09-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种大尺寸锗单晶生长用温度梯度调控装置在说明书摘要公布了：一种大尺寸锗单晶生长用温度梯度调控装置，属于锗晶体生长技术领域。该装置包括炉体、导流筒、保温筒、通气环和石墨坩埚，炉体包括主室和副室，副室设置在主室顶部；通气环为管状金属圆环，圆环内部空心，圆环内径大于生长的锗单晶等径的直径，圆环的内壁和外壁均匀开设若干出气孔，圆环顶面设置一个进气口，通气环安装在导流筒内侧上部紧贴导流筒，或安装在导流筒外侧上部紧贴导流筒。通过通气环向导流筒吹扫低温的保护气体，使导流筒的温度降低，低温的导流筒作为冷端，快速带走结晶潜热，特别是放肩阶段的结晶潜热，使放肩时结晶潜热辐射的传输加快，提高生长大尺寸锗单晶放肩的概率，顺利实现转肩进入等径阶段。
本实用新型一种大尺寸锗单晶生长用温度梯度调控装置在权利要求书中公布了：1.一种大尺寸锗单晶生长用温度梯度调控装置，其特征在于：包括炉体、导流筒、保温筒、通气环和石墨坩埚，炉体包括主室和副室，主室为圆柱状，并设有向上逐渐缩小的炉盖，副室设置在炉盖顶部，副室侧面设有开合门，被悬吊的籽晶夹由上而下穿过副室进入主室；主室底部设置升降台，升降台上安装石墨坩埚，石墨坩埚外侧设置加热器并与电源电连接，控制台和加热器外部套设保温筒，保温筒顶部中央设置导流筒；通气环为管状金属圆环，圆环内部空心，圆环内径大于生长的锗单晶等径的直径，圆环的内壁和外壁均匀开设若干出气孔，圆环顶面设置一个进气口，通气环安装在导流筒内侧上部紧贴导流筒，或安装在导流筒外侧上部紧贴导流筒。
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