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台湾积体电路制造股份有限公司林文益获国家专利权

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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体封装体获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223218305U

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202422247601.4,技术领域涉及:H01L23/522;该实用新型半导体封装体是由林文益;杨侃儒;陈楷程;郭建利;李建成设计研发完成,并于2024-09-13向国家知识产权局提交的专利申请。

半导体封装体在说明书摘要公布了:本公开提供一种半导体封装体。半导体封装体包括晶粒及重分布结构。晶粒具有在晶粒的第一侧处的导电垫。重分布结构在晶粒的第一侧之上并电性耦合到晶粒,且重分布结构包括第一介电层、第一导孔及第一介电结构。第一介电层包括第一介电材料。第一导孔在第一介电层中,其中第一导孔电性耦合到晶粒的导电垫。第一介电结构埋置于第一介电层中,其中第一介电结构包括不同于第一介电材料的第二介电材料,其中第一介电结构横向环绕第一导孔并接触第一导孔的多个侧壁。

本实用新型半导体封装体在权利要求书中公布了:1.一种半导体封装体,其特征在于,包括: 一晶粒,具有在该晶粒的一第一侧处的一导电垫;以及 一重分布结构,在该晶粒的该第一侧之上并电性耦合到该晶粒,且该重分布结构包括: 一第一介电层,包括一第一介电材料; 一第一导孔,在该第一介电层中,其中该第一导孔电性耦合到该晶粒的该导电垫;以及 一第一介电结构,埋置于该第一介电层中,其中该第一介电结构包括不同于该第一介电材料的一第二介电材料,其中该第一介电结构横向环绕该第一导孔并接触该第一导孔的多个侧壁。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人台湾积体电路制造股份有限公司,其通讯地址为:中国台湾新竹市;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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