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龙图腾网获悉新硅能微电子(苏州)有限公司申请的专利沟槽栅IGBT器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223219397U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422130438.3，技术领域涉及：H10D12/00；该实用新型沟槽栅IGBT器件是由陆佳顺;孙磊;陈译;杨洁雯设计研发完成，并于2024-09-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本沟槽栅IGBT器件在说明书摘要公布了：本实用新型公开一种沟槽栅IGBT器件，包括至少2个位于硅片上的器件单胞，位于第一沟槽、第二沟槽周边分别具有一第一N型重掺杂发射极区、第二N型重掺杂发射极区，相邻所述MOS器件单胞之间的N型轻掺杂漂移层内具有一深沟槽，此深沟槽内填充有一绝缘介质柱，此绝缘介质柱的上端延伸至硅片上表面，绝缘介质柱的下端延伸至N型轻掺杂漂移层的下部；器件单胞中的第一导电多晶硅、第二导电多晶硅各自上表面分别覆盖有第一介质层、第二介质层，一发射极金属层覆盖于至少2个器件单胞的上表面，一集电极金属层覆盖于至少2个器件单胞的下表面。本实用新型沟槽栅IGBT器件在器件关断时，使电场曲线趋于平缓，有效避免了器件单胞相互干扰，发生寄生开通的情形，从而提高了沟槽栅IGBT器件的可靠性。

本实用新型沟槽栅IGBT器件在权利要求书中公布了：1.一种沟槽栅IGBT器件，其特征在于：包括至少2个位于硅片（1）上的器件单胞（15），所述器件单胞（15）进一步：位于硅片（1）上部的P阱区（2）和位于P阱区（2）下方的N型轻掺杂漂移层（3），一位于硅片（1）下部的P型重掺杂集电区（4）与N型轻掺杂漂移层（3）之间设置有一N型电场阻止层（5）； 位于P阱区（2）内的第一沟槽（61）、第二沟槽（62）分别延伸至所述N型轻掺杂漂移层（3）内，所述第一沟槽（61）、第二沟槽（62）内分别具有第一导电多晶硅（71）、第二导电多晶硅（72），此第一导电多晶硅（71）、第二导电多晶硅（72）分别与第一沟槽（61）、第二沟槽（62）各自内壁之间分别具有第一氧化层（81）、第二氧化层（82）； 位于第一沟槽（61）、第二沟槽（62）周边分别具有一第一N型重掺杂发射极区（91）、第二N型重掺杂发射极区（92），相邻所述器件单胞（15）之间的N型轻掺杂漂移层（3）内具有一深沟槽（14），此深沟槽（14）内填充有一绝缘介质柱（11），此绝缘介质柱（11）的上端延伸至硅片（1）上表面，所述绝缘介质柱（11）的下端延伸至N型轻掺杂漂移层（3）的下部； 所述器件单胞（15）中的第一导电多晶硅（71）、第二导电多晶硅（72）各自上表面分别覆盖有第一介质层（101）、第二介质层（102），一发射极金属层（12）覆盖于至少2个器件单胞（15）的上表面，一集电极金属层（13）覆盖于至少2个器件单胞（15）的下表面。

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