台湾积体电路制造股份有限公司张耕铭获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利封装结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223218306U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422110083.1，技术领域涉及：H01L23/544；该实用新型封装结构是由张耕铭;左克伟;林资程;董志航;邱文智;张文耀;余振华设计研发完成，并于2024-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本封装结构在说明书摘要公布了：一种封装结构包括位于第一封装元件上的第一接合膜以及位于第一接合膜的第一对位标记。第一对位标记包括彼此分隔开的多个第一图案。封装结构包括位于第二封装元件上并接合至第一接合膜的第二接合膜以及位于第二接合膜中的第二对位标记。第二对位标记包括彼此分隔开的多个第二图案，并且第一图案与第二图案重叠。在此情况下，由于第一间距和第二间距之间的间距差，光信号可以通过穿过顶部晶圆和底部晶圆的光栅之间的变化间距来形成干涉图案。通过读取光信号，提升重叠未对准测量的解析度。
本实用新型封装结构在权利要求书中公布了：1.一种封装结构，其特征在于，包括： 一第一接合膜，形成于一第一封装元件上； 一第一对位标记，形成于该第一接合膜中，其中该第一对位标记包括彼此分隔开的多个第一图案； 一第二接合膜，形成于一第二封装元件上并接合至该第一接合膜；以及 一第二对位标记，形成于该第二接合膜中，其中该第二对位标记包括彼此分隔开的多个第二图案，且该多个第一图案与该多个第二图案重叠， 其中在一俯视图中，该多个第一图案的每一个分为一第一部分和一第二部分，该多个第一图案的多个该第一部分以一第一间距分隔开，该多个第一图案的多个该第二部分以一第二间距分隔开，该第一间距与该第二间距不同。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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