意法半导体国际公司F·拉努瓦获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体国际公司申请的专利垂直功率部件和设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223219396U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422105332.8，技术领域涉及：H10D8/60；该实用新型垂直功率部件和设备是由F·拉努瓦设计研发完成，并于2024-08-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本垂直功率部件和设备在说明书摘要公布了：本描述涉及垂直功率部件，该垂直功率部件形成在掺杂有第一导电类型的半导体基板中和半导体基板上，并且该半导体基板的上侧涂覆有掺杂有第一导电类型的半导体层。该部件包括：有源区域（100A）；以及包围有源区域的第一组和第二组第一同心场限制环。每个第一环包括掺杂有与第一导电类型相反的第二导电类型的第一半导体区域，该第一半导体区域从半导体层的上侧垂直延伸到半导体层的厚度中；以及第二场限制环，其横向插入在第一组与第二组第一场限制环（GR）之间。第二环包括第二导电类型的第二掺杂的半导体区域，该第二掺杂的半导体区域从半导体层的上面垂直延伸到半导体层的厚度中。第二半导体区域的宽度是最宽的第一半导体区域的宽度的至少三倍大。
本实用新型垂直功率部件和设备在权利要求书中公布了：1.一种垂直功率部件，其特征在于，包括： 掺杂有第一导电类型的半导体基板； 掺杂有第一导电类型的半导体层，在半导体基板上； 有源区域； 第一组和第二组第一场限制环，包围有源区域，每个第一场限制环包括掺杂有与第一导电类型相反的第二导电类型的第一半导体区域，延伸到半导体层的厚度中； 第二场限制环，横向插入在第一组和第二组第一场限制环之间，第二场限制环包括掺杂有第二导电类型的第二半导体区域，延伸到半导体层的厚度中；以及 第一绝缘区域，在第二半导体区域的整个面上并与其机械接触， 其中第二半导体区域的宽度是最宽的第一半导体区域的宽度的至少三倍大。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人意法半导体国际公司，其通讯地址为：瑞士；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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