中国科学院近代物理研究所刘凤琼获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院近代物理研究所申请的专利基于硼靶材磁控溅射的等离子刻蚀方法和镀膜方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119265508B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411185065.8，技术领域涉及：C23C14/02；该发明授权基于硼靶材磁控溅射的等离子刻蚀方法和镀膜方法是由刘凤琼;卢子伟;李荣华;张宏斌;李海霞;李占奎;王秀华;陈翠红设计研发完成，并于2024-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于硼靶材磁控溅射的等离子刻蚀方法和镀膜方法在说明书摘要公布了：本发明公开基于硼靶材磁控溅射的等离子刻蚀方法和镀膜方法，属于薄膜材料制备技术领域。等离子刻蚀方法包括：在磁控溅射设备真空室中，样品架上安装基片，阴极上安装硼靶材；对磁控溅射设备真空室抽真空，通入氩气，对所述基片施加双极脉冲偏压，对所述硼靶材施加射频，进而通过磁控溅射设备实现对所述基片的等离子刻蚀。镀膜方法包括：等离子刻蚀后的基片在磁控溅射设备真空室无需取出，直接在磁控溅射设备真空室中进行磁控溅射镀膜。本发明可以实现在磁控溅射设备中不需真空腔室改造进行等离子刻蚀，方案可操作性和实用性强。
本发明授权基于硼靶材磁控溅射的等离子刻蚀方法和镀膜方法在权利要求书中公布了：1.一种基于硼靶材磁控溅射的等离子刻蚀方法，其特征在于，包括： 在磁控溅射设备的真空室中，样品架上安装基片，阴极上安装硼靶材； 对所述磁控溅射设备的真空室抽真空，然后通入氩气，对所述基片施加双极脉冲偏压，对所述硼靶材施加射频，进而通过所述磁控溅射设备实现对所述基片的等离子刻蚀； 所述对所述基片施加双极脉冲偏压，其中，正脉冲偏压为90V～110V，负脉冲偏压为-500V～-800V，频率为25KHz～35KHz，占空比为70％～90％； 所述对所述硼靶材施加射频，射频功率为80W～120W。
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