泰科天润半导体科技(北京)有限公司张瑜洁获国家专利权
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龙图腾网获悉泰科天润半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种低导通电阻的沟槽栅碳化硅VDMOS获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223219402U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422037708.6，技术领域涉及：H10D30/66；该实用新型一种低导通电阻的沟槽栅碳化硅VDMOS是由张瑜洁;陈彤;胡慧娜设计研发完成，并于2024-08-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低导通电阻的沟槽栅碳化硅VDMOS在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种低导通电阻的沟槽栅碳化硅VDMOS，包括：漂移层下侧面连接至碳化硅衬底上侧面；P型源区下侧面连接至漂移层上侧面；续流区连接至漂移层，续流区连接至P型源区；续流区内设有凹槽，凹槽底部设有掩蔽层；续流区内设有P型阱区以及N型源区，P型阱区上侧面连接至N型源区下侧面；栅介质层下部设于凹槽内，栅介质层的外侧分别连接N型源区以及P型阱区，栅介质层的下侧面连接至掩蔽层上侧面；栅介质层上设有沟槽；栅极金属层设于沟槽内；源极金属层分别连接P型源区、续流区及N型源区；漏极金属层连接至所述碳化硅衬底的下侧面；能有效降低器件的导通电阻、降低器件的体二极管导通损耗、提高器件的开关速度。
本实用新型一种低导通电阻的沟槽栅碳化硅VDMOS在权利要求书中公布了：1.一种低导通电阻的沟槽栅碳化硅VDMOS，其特征在于，包括： 碳化硅衬底， 漂移层，所述漂移层下侧面连接至所述碳化硅衬底上侧面； P型源区，所述P型源区下侧面连接至所述漂移层上侧面； 续流区，所述续流区下侧面连接至所述漂移层上侧面，所述续流区外侧面连接至所述P型源区内侧；所述续流区内设有凹槽，所述凹槽底部设有掩蔽层；所述续流区内设有P型阱区以及N型源区，所述P型阱区上侧面连接至所述N型源区下侧面； 栅介质层，所述栅介质层下部设于所述凹槽内，所述栅介质层的外侧分别连接所述N型源区以及P型阱区，所述栅介质层的下侧面连接至所述掩蔽层上侧面；所述栅介质层上设有沟槽； 栅极金属层，所述栅极金属层设于所述沟槽内； 源极金属层，所述源极金属层分别连接所述P型源区、续流区及N型源区； 漏极金属层，所述漏极金属层连接至所述碳化硅衬底的下侧面。
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