重庆邮电大学黄义获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆邮电大学申请的专利一种具有门型栅结构的抗单粒子GaN HEMT器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118866941B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411099136.2，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种具有门型栅结构的抗单粒子GaN HEMT器件是由黄义;池天宇;高升;吴艳君;李萱设计研发完成，并于2024-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有门型栅结构的抗单粒子GaN HEMT器件在说明书摘要公布了：本发明涉及一种具有门型栅结构的抗单粒子GaNHEMT器件，属于微电子技术领域。该器件自下而上包括缓冲层、势垒层、钝化层、源极、栅极和漏极，还包括一个门型栅结构，其中门型栅结构位于栅极下方，势垒层上方，由P‑GaN层和n掺杂AlGaN层组成。本发明通过在P‑GaN层内嵌入n掺杂AlGaN层，引入补偿电子与单粒子入射后在栅极和源极下方聚集的大量空穴进行充分复合，从而有效抑制电子由源极注入到沟道，提高了器件的单粒子烧毁电压。
本发明授权一种具有门型栅结构的抗单粒子GaN HEMT器件在权利要求书中公布了：1.一种具有门型栅结构的抗单粒子GaNHEMT器件，自下而上包括缓冲层101、势垒层102和钝化层103，源极104和漏极106分别位于势垒层102上方两端，在源极104右侧的势垒层102上方设有P-GaN层107，栅极105位于P-GaN层107上方；其特征在于，在P-GaN层107中内嵌n掺杂AlGaN层108，使P-GaN层107呈门型结构；所述n掺杂AlGaN层108位于势垒层102上方，其余三面被P-GaN层107完全包围；所述n掺杂AlGaN层108位于P-GaN层107底部中间位置。
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