天合光能股份有限公司侯承利获国家专利权
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龙图腾网获悉天合光能股份有限公司申请的专利太阳能电池制备方法、钝化接触结构的制备方法及太阳能电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118588816B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411035885.9，技术领域涉及：H10F71/10；该发明授权太阳能电池制备方法、钝化接触结构的制备方法及太阳能电池是由侯承利;孟子博;霍亭亭;韩玉浩;李宏伟;杨广涛设计研发完成，并于2024-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本太阳能电池制备方法、钝化接触结构的制备方法及太阳能电池在说明书摘要公布了：本申请涉及一种太阳能电池的制备方法、钝化接触结构的制备方法及太阳能电池，钝化接触结构的制备方法包括以下步骤：在硅基片上制备隧穿氧化硅层；在隧穿氧化硅层上沉积本征非晶硅层；对层叠有隧穿氧化硅层和本征非晶硅层的硅基片进行预退火；在预退火后的本征非晶硅层上沉积掺杂非晶硅层；对沉积有隧穿氧化硅层、本征非晶硅层及掺杂非晶硅层的硅基片进行退火，形成层叠于隧穿氧化层上的掺杂多晶硅层。如此，在沉积本征非晶硅层后，引入一个预退火的操作，以打开一些隧穿氧化硅层的孔洞，辅助载流子的传输，提高钝化接触结构的钝化性能。
本发明授权太阳能电池制备方法、钝化接触结构的制备方法及太阳能电池在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池钝化接触结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 在硅基片上制备隧穿氧化硅层； 在所述隧穿氧化硅层上沉积本征非晶硅层； 对层叠有所述隧穿氧化硅层和所述本征非晶硅层的所述硅基片进行预退火； 在预退火后的所述本征非晶硅层上沉积掺杂非晶硅层； 对沉积有所述隧穿氧化硅层、所述本征非晶硅层及所述掺杂非晶硅层的所述硅基片进行退火，形成层叠于所述隧穿氧化硅层上的掺杂多晶硅层； 所述预退火的温度高于所述退火的温度,所述预退火的温度的范围为1000℃-1200℃，所述退火的温度的范围为850℃-900℃。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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