杭州谱析光晶半导体科技有限公司许一力获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请的专利一种制造成本较低的Sic VDMOSFET结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223219401U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421822150.6，技术领域涉及：H10D30/66；该实用新型一种制造成本较低的Sic VDMOSFET结构是由许一力;刘倩倩设计研发完成，并于2024-07-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种制造成本较低的Sic VDMOSFET结构在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种制造成本较低的SicVDMOSFET结构，本实用新型涉及半导体功率器件技术领域，包括漏极，漏极的上方设置有导电衬底层，导电衬底层的上端两侧均设置有导电外延层，导电衬底层的上端中部设置有导电柱区，导电柱区的上方设置有栅介质层和栅极电极，栅介质层内设置有导电多晶碳化硅层，两个导电外延层的上方均设置有缓冲结构，两个缓冲结构的上方分别设置有导电源区和导电阱区。该制造成本较低的SicVDMOSFET结构，增加SicVDMOSFET器件使用的稳定性，以及能够跟随功率传输时产生的高温及时调整其电阻值，同时，解决带电粒子发生移动使介质发热会增加电流而发生漏电损耗的问题。
本实用新型一种制造成本较低的Sic VDMOSFET结构在权利要求书中公布了：1.一种制造成本较低的SicVDMOSFET结构，包括漏极1，其特征在于：所述漏极1的上方设置有导电衬底层2，所述导电衬底层2的上端两侧均设置有导电外延层3，所述导电衬底层2的上端中部设置有导电柱区4，所述导电柱区4的上方设置有栅介质层6和栅极电极71，所述栅介质层6位于栅极电极71内，所述栅介质层6内设置有导电多晶碳化硅层61，两个所述导电外延层3的上方均设置有缓冲结构5，两个所述缓冲结构5的上方分别设置有导电源区12和导电阱区7，所述导电源区12的上方、栅介质层6的上方和导电阱区7的上方共同设置有源极电极8，所述源极电极8的一端与缓冲结构5接触，所述源极电极8的上方设置有两个一号阻光层9和二号阻光层10，两个所述一号阻光层9分别与两个二号阻光层10交错分布，所述导电外延层3和缓冲结构5之间设置有导电扩展层13和导电屏蔽区14。
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