深圳英集芯科技股份有限公司梁智获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳英集芯科技股份有限公司申请的专利一种适用于NMOS路径管的下拉电路获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223219080U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421709938.6，技术领域涉及：H03K17/687；该实用新型一种适用于NMOS路径管的下拉电路是由梁智;江力;周焱设计研发完成，并于2024-07-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种适用于NMOS路径管的下拉电路在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种适用于NMOS路径管的下拉电路，包括触发电路、反向电路、电流源I0、第一电阻、第一电容和MOS管M1，电流源I0的输入端、触发电路的输入端分别接电压VCC，电压VCC由输入电压VIN经稳压得到，电流源I0的输出端分别与第一电容的一端和触发电路的复位端电连接，触发电路的输出端经第一电阻与反向电路的输入端电连接，反向电路的输出端与MOS管M1的栅极电连接，MOS管的漏极与NMOS路径管M0的栅极电连接，MOS管的源极和第一电容的另一端分别接地。
本实用新型一种适用于NMOS路径管的下拉电路在权利要求书中公布了：1.一种适用于NMOS路径管的下拉电路，其特征在于，包括： 触发电路、反向电路、电流源I0、第一电阻、第一电容和MOS管M1，电流源I0的输入端、触发电路的输入端分别接电压VCC，电压VCC由输入电压VIN经稳压得到，电流源I0的输出端分别与第一电容的一端和触发电路的复位端电连接，触发电路的输出端经第一电阻与反向电路的输入端电连接，反向电路的输出端与MOS管M1的栅极电连接，MOS管的漏极与NMOS路径管M0的栅极电连接，MOS管的源极和第一电容的另一端分别接地。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳英集芯科技股份有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市南山区西丽街道西丽社区打石一路深圳国际创新谷八栋(万科云城三期C区八栋)A座3104房研发用房；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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