泰科天润半导体科技(北京)有限公司施广彦获国家专利权
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龙图腾网获悉泰科天润半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种低栅电荷的V型栅碳化硅VDMOS获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223219405U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421685753.6，技术领域涉及：H10D64/27；该实用新型一种低栅电荷的V型栅碳化硅VDMOS是由施广彦;张长沙;张瑜洁;李昀佶设计研发完成，并于2024-07-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低栅电荷的V型栅碳化硅VDMOS在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种低栅电荷的V型栅碳化硅VDMOS，包括：漂移层下侧面连接至碳化硅衬底上侧面，漂移层内设有均流层；P型源区下侧面连接至漂移层上侧面；P型阱区下侧面连接至所述漂移层上侧面；N型源区，所述N型源区下侧面连接至所述P型阱区；绝缘介质层，所述绝缘介质层为V字形，所述绝缘介质层分别连接所述P型阱区以及N型源区；所述绝缘介质层内设有V型沟槽；源极金属层，所述源极金属层分别连接所述P型源区以及N型源区；栅极金属层，所述栅极金属层设于所述V型沟槽内；以及，漏极金属层，所述漏极金属层连接至所述碳化硅衬底下侧面；采用了V型栅器件结构，栅极控制需要反型厚度少，栅电荷小，能有效提高器件的开关速度。
本实用新型一种低栅电荷的V型栅碳化硅VDMOS在权利要求书中公布了：1.一种低栅电荷的V型栅碳化硅VDMOS，其特征在于：包括： 碳化硅衬底， 漂移层，所述漂移层下侧面连接至所述碳化硅衬底上侧面，所述漂移层内设有均流层； P型源区，所述P型源区下侧面连接至所述漂移层上侧面； P型阱区，所述P型阱区下侧面连接至所述漂移层上侧面； N型源区，所述N型源区下侧面连接至所述P型阱区； 绝缘介质层，所述绝缘介质层为V字形，所述绝缘介质层分别连接所述P型阱区以及N型源区；所述绝缘介质层内设有V型沟槽； 源极金属层，所述源极金属层分别连接所述P型源区以及N型源区； 栅极金属层，所述栅极金属层设于所述V型沟槽内； 以及，漏极金属层，所述漏极金属层连接至所述碳化硅衬底下侧面。
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