电子科技大学吴克军获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种低漏电采样保持电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118783965B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410819403.2，技术领域涉及：H03M1/12；该发明授权一种低漏电采样保持电路是由吴克军;张成欣;于臻;李世腾;于奇设计研发完成，并于2024-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低漏电采样保持电路在说明书摘要公布了：本发明属于模拟集成电路领域，具体为一种低漏电采样保持电路。本发明包括低漏电开关S1、采样电容C1、输出级运算放大器和反馈开关S2；本发明通过复用输出级运算放大器，将低漏电开关S1中MOS管的源极与漏极钳位在同一电压，降低了MOS管源极与漏极之间因为晶体管亚阈值导电造成的漏电；并提供了使用隔离MOS管搭建低漏电开关结构，衬底电位不再与地相连接，消除了采样电容到地的漏电路径，进一步降低了上述低漏电开关S1结构中源极漏极之间寄生二极管造成的漏电。
本发明授权一种低漏电采样保持电路在权利要求书中公布了：1.一种低漏电采样保持电路，其特征在于：包括低漏电开关S1，采样电容C1，输出级运算放大器和反馈开关S2； 所述低漏电开关S1第一端作为输入端，第二端连接采样电容C1上极板与输出级运算放大器正输入端；采样电容C1下极板与地连接；输出级运算放大器输出端与采样保持电路输出端连接，且输出级运算放大器输出端与其自身的负输入端连接，形成单位增益负反馈回路；反馈开关S2第二端与输出级运算放大器的输出端和负输入端连接；反馈开关S2第一端与低漏电开关S1连接，反馈开关S2栅极连接控制信号K2； 所述低漏电开关S1由N个MOS管M1…MN依次串联构成，N≥2，其中MOS管M1衬底连接M1源端，MOS管M2衬底连接M2漏端，以奇数MOS管M2m+1衬底连接自身源端，偶数MOS管M2m衬底连接自身漏端的方式，实现相邻两个开关MOS管之间衬底连接方向相反，m＝0,1,2……，M1…MN的栅极均连接控制信号K1；反馈开关S2第一端连接至低漏电开关S1中相邻MOS管串联的中间节点Y，N个MOS管共计N-1个中间节点Y。
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