意法半导体国际公司F·派米杰特获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体国际公司申请的专利用于电磁屏蔽的系统获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223219383U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202421329827.2,技术领域涉及:H05K9/00;该实用新型用于电磁屏蔽的系统是由F·派米杰特;K·萨克斯奥德;E·布罗斯设计研发完成,并于2024-06-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于电磁屏蔽的系统在说明书摘要公布了:提供了用于电磁屏蔽的系统,特别是用于半导体封装和或印刷电路板。系统包括:基板;光学装置,附接到基板;RF罩,附接到基板,其中RF罩包括与光学装置的光轴对准的第一孔;固化的沉积层,包括至少沉积层的第一部分以及沉积层的第二部分,其中沉积层的第一部分跨RF罩的第一孔设置,并且包括比第一孔窄且与光轴对准的第二孔,其中沉积层的第二部分设置在RF罩以及基板的第一端子上,并且其中沉积层的第一部分与沉积层的第二部分不连接;以及其中,沉积层将RF罩电耦合到基板的第一端子,以为至少光学装置提供第一电磁屏蔽件。
本实用新型用于电磁屏蔽的系统在权利要求书中公布了:1.一种用于电磁屏蔽的系统,其特征在于,包括: 基板; 光学装置,附接到基板; RF罩,附接到基板,其中RF罩包括与光学装置的光轴对准的第一孔; 固化的沉积层,包括至少沉积层的第一部分以及沉积层的第二部分,其中沉积层的第一部分跨RF罩的第一孔设置,并且包括比第一孔窄且与光轴对准的第二孔,其中沉积层的第二部分设置在RF罩以及基板的第一端子上,并且其中沉积层的第一部分与沉积层的第二部分不连接;以及 其中,沉积层将RF罩电耦合到基板的第一端子,以为至少光学装置提供第一电磁屏蔽件。
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