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龙图腾网获悉天合光能股份有限公司申请的专利太阳能电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118099287B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410379588.X，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权太阳能电池及其制备方法是由王榕;陈红;简磊;夏斯阳;孟承启;丁留伟设计研发完成，并于2024-03-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本太阳能电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及太阳能电池技术领域，特别是涉及一种太阳能电池及其制备方法，可以减少工序，从而可以满足日益增加的工艺步骤简化需求，并能够降低成本。一种太阳能电池的制备方法，包括：在形成有PN结的硅基底层上，在PN结背离硅基底层的表面形成第一硅玻璃薄膜；将第一硅玻璃薄膜对应第一区域的部分去除，形成第一硅玻璃图案；在第一表面且位于第一区域形成第一隧穿氧化层；采用沉积工艺和等离子体刻蚀工艺，在第一硅玻璃图案和第一隧穿氧化层背离硅基底层的表面沉积第一掺杂硅，使得第一掺杂硅仅沉积在第一隧穿氧化层的表面；将第一硅玻璃图案去除；在PN结对应第二区域的部分和第一掺杂硅的表面依次层叠形成第一钝化层和第一栅线图案。

本发明授权太阳能电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括： 提供硅基底层，所述硅基底层包括沿其厚度方向相对设置的第一表面和第二表面，以及形成在所述第一表面的PN结和形成在所述PN结背离所述硅基底层表面的第一硅玻璃薄膜，所述第一硅玻璃薄膜中掺杂有第一掺杂元素和氧元素； 将所述第一硅玻璃薄膜对应第一区域的部分去除，形成第一硅玻璃图案，所述第一硅玻璃图案覆盖所述PN结对应第二区域的部分，而裸露所述PN结对应所述第一区域的部分，所述第一区域为所述太阳能电池的栅线图案所在区域，所述第二区域为所述第一表面除所述栅线图案所在区域以外的其余区域，所述栅线图案包括位于所述第一表面的第一栅线图案和位于所述第二表面的第二栅线图案； 在所述第一表面且位于所述第一区域形成第一隧穿氧化层； 采用沉积工艺和等离子体刻蚀工艺，在所述第一硅玻璃图案和所述第一隧穿氧化层背离所述硅基底层的表面沉积第一掺杂硅； 将所述第一硅玻璃图案去除，裸露出所述PN结对应所述第二区域的部分； 在所述PN结对应所述第二区域的部分和所述第一掺杂硅的表面依次层叠形成第一钝化层和所述第一栅线图案，所述第一栅线图案穿过所述第一钝化层与所述第一掺杂硅电连接； 采用沉积工艺和等离子体刻蚀工艺，在所述第一硅玻璃图案和所述第一隧穿氧化层背离所述硅基底层的表面沉积第一掺杂硅，包括： 循环执行沉积和等离子体刻蚀，利用第一掺杂硅在所述第一硅玻璃图案上的沉积速率小于所述第一掺杂硅在所述第一隧穿氧化层上的沉积速率，而所述第一掺杂硅在所述第一硅玻璃图案上的刻蚀速率大于所述第一掺杂硅在所述第一隧穿氧化层上的刻蚀速率，使得所述第一掺杂硅在所述第一隧穿氧化层上的沉积至少部分被保留，而所述第一掺杂硅在所述第一硅玻璃图案上的沉积被去除。

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