湖北九峰山实验室成志杰获国家专利权
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龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利一种宽禁带半导体沟槽MOSFET器件结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118039697B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410115473.X，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种宽禁带半导体沟槽MOSFET器件结构及其制作方法是由成志杰;袁俊;郭飞;王宽;陈伟;吴阳阳;徐少东;彭若诗;朱厉阳;李明哲设计研发完成，并于2024-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种宽禁带半导体沟槽MOSFET器件结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种宽禁带半导体沟槽MOSFET器件结构及其制作方法，上述结构包括衬底、第一外延层、第二外延层、P+掩蔽层、栅电极及源极P+区；第一外延层和第二外延层依次层叠生长在衬底上；多个栅电极沿器件结构的长度方向依次间隔设于第二外延层中，任一栅电极的底部设有P+掩蔽层且P+掩蔽层位于第二外延层中；源极P+区沿栅电极的长度方向间隔贯穿P+掩蔽层，P+掩蔽层和P+埋层与源极P+区保持电连接。该结构不仅可以提高器件的导通特性，而且具有很好的掩蔽作用，可以提升器件的动态可靠性。
本发明授权一种宽禁带半导体沟槽MOSFET器件结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种宽禁带半导体沟槽MOSFET器件结构，其特征在于，包括：衬底、第一外延层、第二外延层、P+掩蔽层、栅电极及源极P+区； 所述第一外延层和所述第二外延层依次层叠生长在所述衬底上； 多个所述栅电极沿器件结构的长度方向依次间隔设于所述第二外延层中，任一所述栅电极的底部设有所述P+掩蔽层且所述P+掩蔽层位于所述第二外延层中； 所述源极P+区沿所述栅电极的长度方向间隔贯穿所述P+掩蔽层，所述P+掩蔽层和P+埋层与所述源极P+区保持电连接； 还包括P+埋层和栅极连接槽； 所述P+埋层制作于所述第一外延层和所述第二外延层之间； 所述P+埋层中设有N+电流通道且所述N+电流通道位于所述P+掩蔽层的正下方； 所述源极P+区沿所述器件结构的长度方向布设于所述栅电极的中部区域，所述源极P+区的底部与所述P+埋层接触，所述源极P+区的侧壁与所述P+掩蔽层接触； 多个所述栅电极通过所述栅极连接槽连接，所述源极P+区包裹于所述栅极连接槽，所述栅极连接槽用于辅助源极P+离子注入。
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