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龙图腾网获悉中国人民解放军空军工程大学申请的专利一种基于旋流半导体的低压滑动弧点火器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117759951B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311779553.7，技术领域涉及：F23Q3/00；该发明授权一种基于旋流半导体的低压滑动弧点火器是由张志波;贾敏;吴云;崔巍;宋慧敏;吴增艳设计研发完成，并于2023-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于旋流半导体的低压滑动弧点火器在说明书摘要公布了：一种基于旋流半导体的低压滑动弧点火器，包括射流孔101、外壳102、外部引气管103、安装螺纹104、阴极105、绝缘体106、阳极107、气流通道108、半导体旋流器109、进气孔110、定位台阶111、进气通道112。还提供该点火器的工作过程。本发明利用半导体的低压起弧特性，解决现有滑动弧点火器需要高压击穿的难题，从而解决现有滑动弧点火器工作过程中阻抗变化大导致电源设计难度增加的问题；本发明还利用半导体器件特性，有效降低对于电源设计的要求，提高工程实用性，降低电源系统的体积重量。

本发明授权一种基于旋流半导体的低压滑动弧点火器在权利要求书中公布了：1.一种基于旋流半导体的低压滑动弧点火器，其特征在于，包括射流孔101、外壳102、外部引气管103、安装螺纹104、阴极105、绝缘体106、阳极107、气流通道108、半导体旋流器109、进气孔110、定位台阶111、进气通道112；其中 外壳102整体呈空心圆柱体形状，具有上端面，端面中央打孔；外壳102内部下端处设有内螺纹，该内螺纹与安装螺纹104配合固定； 外部引气管103自外壳102下部、靠近外壳102内螺纹上部的位置与外壳102固定连接，外部引气管103不接触外壳102内螺纹，外部引气管103自下而上斜插入外壳102；外壳102在外部引气管103引入处打通孔，用以通过外部引气管103引入外部气体； 阴极105为中空圆柱体，头尾两端开放，阴极105外部为圆柱体形状，阴极105外壁面沿圆周方向与外壳102内壁面之间留有间隙，形成进气通道112；阴极105内腔分为头部、中部、尾部三段，阴极105头部内腔朝头部出口处逐渐收拢，半径逐渐减小；阴极105内腔中部直径小于尾部直径，中间自然形成一个台阶；在阴极105内部的尾部加工定位台阶111，用于卡住绝缘体106，定位台阶111下端面与阴极105下端面保持一定间距； 阴极105内腔靠近头部的通孔与外壳102头部的通孔共同形成射流孔101； 在阴极105外部的尾部加工安装螺纹104；安装螺纹104位于进气孔110下方，与进气孔110保持一定间距； 阴极105内腔中部靠近头部处布置一上一下两组进气孔110，每组进气孔包括沿圆周均匀分布的多个进气孔，这些进气孔均为贯穿阴极105内外壁面的通孔，进气孔110与进气通道112、气流通道108和射流孔101均相通； 绝缘体106是位于阴极105和阳极107之间的一个空心结构体，围绕点火器轴线呈旋转对称结构；绝缘体106外壁分为上、中、下三段圆柱体结构，从上至下直径依次增大；上段圆柱体外壁面与阴极105内壁面保持一定间距；中段圆柱体与上段圆柱体紧邻处向外凸出形成凸台，凸台位于两组进气孔110之下，与阴极105内腔中部内壁面处于过盈配合状态；中段圆柱体与下段圆柱体交界处形成的台阶恰与阴极105中部和尾部之间形成的台阶形状相应，从而使下段圆柱体与阴极105内壁紧密接触；绝缘体106的内部空腔形成两个直径不同的空心圆柱体结构，上方空心圆柱体直径小于下方空心圆柱体结构，二者共同形成通孔；绝缘体106上端面与阴极105上端面保持一定距离，绝缘体106上端面低于阴极105上端面；绝缘体106下端面与定位台阶111的上端面齐平； 阳极107由半球形放电端、细实心圆柱体和粗实心圆柱体三部分一体化形成；头部为半球形放电端，从绝缘体106上端面向上凸出，靠近射流孔101布置；头部下面是细实心圆柱体，该圆柱体直径与头部半球直径相等；细实心圆柱体下面是粗实心圆柱体，粗实心圆柱体的直径大于细实心圆柱体的直径；阳极107的半球形放电端和粗细实心圆柱体长棒自下而上插入绝缘体106下部大孔中，穿过该孔进入绝缘体106上部小孔中；阳极107头部半球形放电端与阴极105之间、在径向上留有间隙；阳极107的外壁面与绝缘体106的外壁面之间形成顺滑连接；阳极107与阴极105之间形成的气流通道、绝缘体106与阴极105之间形成的气流通道共同构成气流通道108； 半导体旋流器109由中空圆柱体和固定于其外的多个沿径向均匀分布的扇形叶片构成，中空圆柱体的内径与阳极107细实心圆柱体的外径相等，半导体旋流器109通过中空圆柱体紧固安装于阳极107的外壁面上，由此嵌入阴极105与阳极107半球形头部之间，轴向位于绝缘体106上端位置，但不与绝缘体106接触；半导体旋流器109只遮挡气流通道108的少部分。

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