中国科学院微电子研究所邢国忠获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利自旋电子神经元器件及相关方法、装置和电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117273090B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311295118.7，技术领域涉及：G06N3/049；该发明授权自旋电子神经元器件及相关方法、装置和电子设备是由邢国忠;汤瑞丰;王迪;许晓欣;刘明设计研发完成，并于2023-10-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本自旋电子神经元器件及相关方法、装置和电子设备在说明书摘要公布了：本申请提出了一种自旋电子神经元器件及建模方法、脉冲神经网络训练方法，该自旋电子神经元器件包含两端电极，位于两个电极之间由多层膜构成的传输组件，以及部署在传输组件的不同位置的多个输出组件，这样，可以选择不同输出组件工作，改变磁畴壁运动的传输路径长度，自动调整自旋电子神经元器件的发射阈值。通过对该器件特性仿生行为进行建模，利用得到的不同性能不同机理的神经元模型，构建实现识别任务的脉冲神经网络，可以通过改变神经元模型数量、发射阈值的阈值调整率和或突触权重，优化脉冲神经网络的性能，无需借用外围电路，实现了脉冲神经网络的内稳态，提高了脉冲神经网络对不同输入的稳定性和鲁棒性。
本发明授权自旋电子神经元器件及相关方法、装置和电子设备在权利要求书中公布了：1.一种自旋电子神经元器件，其特征在于，包括： 第一电极； 第二电极； 分别连接所述第一电极和所述第二电极的传输组件，所述传输组件由多层膜构成； 部署在所述传输组件中不同位置的多个输出组件； 其中，在不同的所述输出组件处于工作状态下，通过所述第一电极或所述第二电极注入的磁畴壁在所述传输组件中运动的传输路径长度不同，以使得所述自旋电子神经元器件具有不同的发射阈值。
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