中国科学院合肥物质科学研究院杨俊峰获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院合肥物质科学研究院申请的专利一种真空镀膜用高熵陶瓷靶材及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117088681B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310884545.2，技术领域涉及：C04B35/10；该发明授权一种真空镀膜用高熵陶瓷靶材及其制备方法是由杨俊峰;张临超;谢卓明;刘瑞;杨瑞芳设计研发完成，并于2023-07-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种真空镀膜用高熵陶瓷靶材及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种真空镀膜用高熵陶瓷靶材及其制备方法，其由以下组分按照摩尔量份数制备而成：Al2O31份、Cr2O30.5‑1份、SiO20.1‑0.3份、TiO20.1‑0.3份、Y2O30.1份、Ni0.03‑0.2份。本发明制备的陶瓷靶材致密性高，抗弯强度大，制备工艺简单，值得推广。
本发明授权一种真空镀膜用高熵陶瓷靶材及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种真空镀膜用高熵陶瓷靶材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： （1）将Al2O3粉和Cr2O3粉置于氧气氛围下煅烧； （2）将煅烧后的Al2O3粉、Cr2O3粉与SiO2粉、TiO2粉、Y2O3粉、Ni粉混合均匀，得到混合粉体； （3）95%Ar+5%H2气氛下，将所述混合粉体进行球磨，得到超细粉体； （4）将所述超细粉体进行烧结，得到烧结板材； （5）将所述烧结板材抛光、真空封装，即得高熵陶瓷靶材； 其中，步骤（1）中，所述煅烧温度为1300-1500℃，煅烧时间1-3h，升温速率5-20℃min； 步骤（2）中，所述Al2O3粉、Cr2O3粉、SiO2粉、TiO2粉、Y2O3粉、Ni粉的摩尔比为1：（0.5-1）：（0.1-0.3）：（0.1-0.3）：（0.1-0.2）：（0.03-0.1）； 步骤（4）中，所述烧结工艺具体包括低温烧结、高温烧结和自然冷却，其中： 所述低温烧结的温度为300-400℃、气压为3-5MPa，保温时间5min； 所述高温烧结的温度为1400-1600℃、气压为30-40MPa，保温时间5-10min； 所述靶材的致密度为98%以上； 所述靶材的抗折强度为680MPa以上。
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