中国科学院上海硅酸盐研究所刘岩获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海硅酸盐研究所申请的专利一种SiC基复合材料的一体化连接方法及在制备半导体SiC真空吸盘中的应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117088704B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310804398.3，技术领域涉及：C04B37/00；该发明授权一种SiC基复合材料的一体化连接方法及在制备半导体SiC真空吸盘中的应用是由刘岩;赵子燕;刘学建;黄政仁设计研发完成，并于2023-07-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种SiC基复合材料的一体化连接方法及在制备半导体SiC真空吸盘中的应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种SiC基复合材料的一体化连接方法及在制备半导体SiC真空吸盘中的应用。所述SiC基复合材料的一体化连接方法包括：将Ti‑Si合金粉铺展到至少两块堆叠放置的SiCC多孔预制坯体上，经过原位反应熔渗烧结，进而实现SiC基复合材料的一体化连接。
本发明授权一种SiC基复合材料的一体化连接方法及在制备半导体SiC真空吸盘中的应用在权利要求书中公布了：1.一种SiC基复合材料的一体化连接方法，其特征在于，包括：将Ti-Si合金粉铺展到至少两块堆叠放置的SiCC多孔预制坯体上，经过原位反应熔渗烧结，进而实现SiC基复合材料的致密与界面连接一步完成； 所述Ti-Si合金粉中Ti的质量分数为25～45wt.%；Ti-Si合金粉的铺展量为理论计算值的1.5～2.0倍； 所述SiCC多孔预制坯体包含SiC粉和炭黑，所述SiC粉和炭黑的质量比为1：（0.1～0.66）；每块SiCC多孔预制坯体的孔径为400nm～1.5μm，孔隙率为3.63～8.13%，厚度为1～10mm；所述SiCC多孔预制坯体的制备过程包括：将SiC粉、炭黑和粘结剂通过球磨混合、雾化造粒和成型，制得SiCC多孔预制坯体；所述成型的方式包括干压成型或冷等静压成型；所述干压成型的压力为4～6MPa，时间为30～60s；所述冷等静压成型的压力为180～200MPa，时间为10～15min； 所述原位反应熔渗烧结包括：在≤5×10-3Pa的真空条件下，以8～12℃min升温至1100～1200℃，再以3～7℃min升温至1200～1300℃，再以1～3℃min升温至1400～1500℃焊接温度，保温60～120min后随炉冷却至室温。
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