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龙图腾网获悉武汉鼎泽新材料技术有限公司;湖北鼎汇微电子材料有限公司;湖北鼎龙控股股份有限公司申请的专利化学机械抛光后清洗组合物及半导体器件基板的清洗方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116496853B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310501171.1，技术领域涉及：C11D7/32；该发明授权化学机械抛光后清洗组合物及半导体器件基板的清洗方法是由刘子龙;胡怀志;冉运;王银;朱顺全设计研发完成，并于2023-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本化学机械抛光后清洗组合物及半导体器件基板的清洗方法在说明书摘要公布了：本发明涉及化学机械抛光后清洗组合物及半导体器件基板的清洗方法，包含至少一种碱类物质、至少一种胺类物质、至少一种金属络合剂类物质、以及至少一种金属腐蚀抑制剂类物质，其中该组合物适用于化学机械抛光之后从半导体晶片表面去除残留物和污染物；本发明涉及的化学机械抛光后清洗组合物具有相对温和的pH以及钝化如铜暴露材料的能力，且原料绿色易得，不包含有剧毒成分，针对铜CMP的后清洗，可高效的除去铜CMP后污染物，不产生缺陷和损伤，同样也会降低对低介电常数材料的破坏。

本发明授权化学机械抛光后清洗组合物及半导体器件基板的清洗方法在权利要求书中公布了：1.一种化学机械抛光后清洗组合物，其特征在于，包含0.1wt%~15wt%如下所示的碱类物质中的一种或多种组合： ； 包含0.1wt%~10wt%如下所示的胺类物质中的一种或多种组合： ； 所述化学机械抛光后清洗组合物适用于化学机械抛光之后从半导体晶片表面去除残留物和污染物，所述化学机械抛光后清洗组合物在进行铜晶圆清洗过程中，在所述化学机械抛光后清洗组合物与铜晶圆的接触面上，在强极化条件下，电极极化过电势η与极化电流密度i满足以下式（1）所示的关系： η=a±b×lg|i|（1）； 所述式（1）中a，b均为常数，其中a介于-210~-150之间，b介于110~220之间； 所述化学机械抛光后清洗组合物包含0.1wt%~10wt%的至少一种金属络合剂类物质，所述金属络合剂类物质包含以下化合物中的至少一种：柠檬酸、乙二胺四乙酸，苹果酸、氨基三乙酸、二亚乙基三胺五乙酸、酒石酸、葡萄糖酸、乙醇酸、羟乙基乙二胺三乙酸、羟基乙叉二膦酸、次氨基三亚甲基膦酸、乙二胺四甲叉膦酸、二乙烯三胺五甲叉膦酸； 所述化学机械抛光后清洗组合物包含0.0001wt％～5wt％的至少一种金属腐蚀抑制剂类物质，所述金属腐蚀抑制剂类物质包含脯氨酸、赖氨酸、半胱氨酸、腺嘌呤、鸟嘌呤、咖啡因中的一种或多种组合。

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