重庆大学陈先华获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆大学申请的专利一种含稀土的高电磁屏蔽耐热镁合金及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117026042B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310309482.8，技术领域涉及：C22C23/06；该发明授权一种含稀土的高电磁屏蔽耐热镁合金及其制备方法是由陈先华;徐文龙;苏畅;潘复生;韩修柱;张高龙;白晶莹设计研发完成，并于2023-03-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种含稀土的高电磁屏蔽耐热镁合金及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种含稀土的高电磁屏蔽耐热镁合金及其制备方法，属于镁合金制备技术领域。本发明提供是通过在Mg合金中添加不同量的Gd、Y和Nd元素，设计多种稀土元素的联合作用，提高合金的室温和高温强度。Nd元素的加入降低了Gd和Y在Mg基体中的固溶度，使合金中析出大量的Mg5RE和β′相。颗粒状的Mg5RE相可在热挤压变形过程中诱导动态再结晶行为的发生，导致挤压变形后形成细小晶粒的微观组织。合金在时效处理后内部的微米级Mg5RE和纳米级β′相具有极佳的高温稳定性，有效钉扎位错，提升合金的高温性能。此外，轧制时效处理后大量弥散分布的多尺度第二相可增加电磁波在镁基体中传播的反射损耗，导致其具有优异的电磁屏蔽性能。
本发明授权一种含稀土的高电磁屏蔽耐热镁合金及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种含稀土的高电磁屏蔽耐热镁合金，其特征在于，按照重量百分比计，所述镁合金包括10.8~13.2%Gd、1.8~4.2%Y、小于等于2%Nd、小于等于0.02%不可避免的杂质、其余为Mg； 所述镁合金的挤压态微观组织包含平均晶粒尺寸不大于4.13μm的晶粒；所述镁合金的内部沉淀出的中间相包括微米级Mg5RE相和纳米级柱面β'纳米强化相； 在室温下，所述镁合金屈服强度不低于290MPa、极限抗拉强度不低410MPa、延伸率大于等于4.3％、电磁屏蔽效应范围为75～118dB； 在200℃下，所述镁合金的屈服强度不低于190MPa、极限抗拉强度不低380MPa、延伸率大于等于11％； 在250℃下，所述镁合金的屈服强度不低于290MPa、极限抗拉强度不低360MPa、延伸率大于等于17％； 所述镁合金在常温下的电磁屏蔽效应范围为88～118dB。
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