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龙图腾网获悉西安理工大学申请的专利具有负反馈环路失调消除机制的低失调带隙基准电压源获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116301158B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310288397.8，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权具有负反馈环路失调消除机制的低失调带隙基准电压源是由井凯;贾杨鹏;曹家博;王凤娟设计研发完成，并于2023-03-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有负反馈环路失调消除机制的低失调带隙基准电压源在说明书摘要公布了：本发明公开的具有负反馈环路失调消除机制的低失调带隙基准电压源，包括全差分斩波主运算放大器A1、单端输出辅助运算放大器A2、频率补偿与低通滤波器模块、带隙基准核心电路。电路既消除了运算放大器的失调电压，也降低了带隙基准电压源由于运算放大器增益不足产生的增益误差，进而大幅提高了带隙基准输出电压的精度。

本发明授权具有负反馈环路失调消除机制的低失调带隙基准电压源在权利要求书中公布了：1.具有负反馈环路失调消除机制的低失调带隙基准电压源，其特征在于，所述带隙基准电压源的电路包括全差分斩波主运算放大器A1、单端输出辅助运算放大器A2、具有消除高频失调电压和噪声的频率补偿与低通滤波器模块以及带隙基准核心电路； 所述带隙基准核心电路包括P型MOS管MP1、MP2，PNP双极型晶体管Q1和Q2，电阻R1、R2和R3；所述晶体管Q1和Q2的基极与集电极都连在一起，所述晶体管Q1和Q2的集电极接在GND；所述晶体管Q1的发射极分别连接所述全差分斩波主运算放大器A1的N1端口和所述电阻R1的一端，所述电阻R1另一端分别连接所述MOS管MP1的漏极和VREF端口；所述晶体管Q2的发射极与所述电阻R3连接，所述电阻R3另一端分别连接所述全差分斩波主运算放大器A1的P1端口和所述电阻R2，所述电阻R2的另一端连接所述MOS管MP2的漏极；所述MOS管MP1和MP2的源极连接VDD，所述MOS管MP1和MP2的栅极连接所述单端输出辅助运算放大器A2的OUT输出端口； 所述全差分斩波主运算放大器A1包括P型MOS管MP3、MP4、MP5、MP6、MP7、MP8、MP9、MP10、MP11、MP12、MP13、MP14、MP15、MP16，N型MOS管MN1、MN2、MN3、MN4、MN5，斩波器1和斩波器2；所述MOS管MP3、MP7、MP8、MP11和MP12的源极连接VDD，所述MOS管MN3、MN4和MN5的源极连接GND，所述MOS管MP13和MP16的漏极连接GND；所述MOS管MP3、MP7、MP8、MP11、MP12的栅极连接偏置电压BIAS1，所述MOS管MP4、MP9、MP10的栅极连接偏置电压BIAS2，所述MOS管MN1、MN2的栅极连接偏置电压BIAS3，所述MOS管MP14、MP15的栅极连接共模电压VCM；所述MOS管MP3的漏极连接所述MOS管MP4的源极，所述MOS管MP4的漏极连接所述MOS管MP5和MP6的源极，所述MOS管MP5的栅极经过所述斩波器1后连接到P1端口，所述MOS管MP6的栅极经过所述斩波器1后连接到N1端口，所述MOS管MP5的漏极连接所述MOS管MN4的漏极，所述MOS管MP6的漏极连接所述MOS管MN3的漏极；所述MOS管MP7的漏极连接所述MOS管MP9的源极，所述MOS管MP9的漏极连接所述MOS管MN1的漏极，所述MOS管MN1的漏极经过所述斩波器2后连接到正输出端口，所述MOS管MN1的源极连接所述MOS管MN3的漏极；所述MOS管MP8的漏极连接所述MOS管MP10的源极，所述MOS管MP10的漏极连接MOS管MN2的漏极，所述MOS管MN2的漏极经过所述斩波器2后连接到负输出端口，所述MOS管MN2的源极连接所述MOS管MN4的漏极；所述MOS管MP11的漏极连接所述MOS管MP13和MP14的源极，所述MOS管MP12的漏极连接所述MOS管MP15和MP16的源极；所述MOS管MP14和MP15的漏极连接所述MOS管MN5的漏极和栅极；所述MOS管MP13和MP16的栅极分别连接所述MOS管MN1和MN2的漏极；所述MOS管MN5的栅极连接所述MOS管MN3和MN4的栅极；所述全差分斩波主运算放大器A1的P1端口和N1端口分别与所述单端输出辅助运算放大器A2的P3端口和N3端口相连，所述全差分斩波主运算放大器A1的负输出端口和正输出端口分别与所述单端输出辅助运算放大器A2的N2端口和P2端口相连； 所述单端输出辅助运算放大器A2包括P型MOS管MP17、MP18、MP19、MP20、MP21、MP22、MP23、MP24、MP25、MP26，N型MOS管MN6、MN7、MN8、MN9；所述MOS管MP17、MP18、MP21、MP25的源极连接VDD，所述MOS管MN8、MN9的源极连接GND；所述MOS管MP21、MP25的栅极连接偏置电压BIAS1，所述MOS管MP20、MP22、MP26的栅极连接偏置电压BIAS2，所述MOS管MN6、MN7的栅极连接偏置电压BIAS3，所述MOS管MN8、MN9栅极连接偏置电压BIAS4；所述MOS管MP21的漏极与MP22的源极连接，所述MOS管MP22的漏极与所述MOS管MP23和MP24的源极连接，所述MOS管MP23的栅极与P3端口连接，所述MOS管MP24的栅极与N3端口连接，所述MOS管MP23的漏极与所述MOS管MN8的漏极连接，所述MOS管MP24的漏极与所述MOS管MN9的漏极连接；所述MOS管MP17的漏极与MP19的源极连接，所述MOS管MP19的漏极与所述MOS管MN6的漏极连接，所述MOS管MP17的栅极连接所述MOS管MN6的漏极，所述MOS管MN6的源极连接所述MOS管MN8的漏极；所述MOS管MP18的漏极连接MP20的源极，所述MOS管MP20的漏极连接所述MOS管MN7的漏极和OUT输出端口，所述MOS管MN7的源极连接MN9的漏极；所述MOS管MP25的漏极连接MP26的源极，所述MOS管MP26的漏极连接MOS管MP27的源极和MOS管MP28的源极，所述MOS管MP27的栅极与N2端口连接，所述MOS管MP28的栅极与P2端口连接，所述MOS管MP27的漏极连接MN9的漏极，所述MOS管MP28的漏极连接MN8的漏极；所述单端输出辅助运算放大器A2的N2端口和P2端口分别连接所述频率补偿与低通滤波器模块的CN端口和CP端口，所述单端输出辅助运算放大器A2的OUT输出端口连接所述频率补偿与低通滤波器模块的COUT端口。

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