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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种过温保护电路及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116339435B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310269912.8，技术领域涉及：G05F1/567；该发明授权一种过温保护电路及方法是由林兴奎;蔡小五;高马利;高悦欣;夏瑞瑞;张磊;李博设计研发完成，并于2023-03-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种过温保护电路及方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种过温保护电路及方法，该过温保护电路包括基准电流模块、温度检测模块、电流比较模块；基准电流模块的输出端与电流比较模块的输入端连接；温度检测模块的输出端与电流比较模块的另一输入端连接，本申请利用电流比较模块将接收到的正温度系数电流以及基准电流进行比较，得到比较结果，并根据比较结果调整过温保护电路的输出电压VOUT，不需要通过三极管的基极‑发射极电压进行温度检测，因此过温保护电路不具有检测温度的固有缺点即检测精度会受到制造工艺偏差的影响，提升了过温保护电路的检测精度。

本发明授权一种过温保护电路及方法在权利要求书中公布了：1.一种过温保护电路，其特征在于，包括：基准电流模块、温度检测模块、电流比较模块； 所述基准电流模块的输出端与所述电流比较模块的输入端连接； 所述温度检测模块的输出端与所述电流比较模块的另一输入端连接； 所述电流比较模块，当接收到所述基准电流模块发送的基准电流，以及所述温度检测模块发送的正温度系数电流时，比较所述基准电流与所述正温度系数电流，得到比较结果；根据所述比较结果调整输出电压VOUT； 其中，所述温度检测模块包括：第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第七三极管、第八三极管、第九三极管、第十三极管、第七电阻、第八电阻、第十五PMOS管、第十六PMOS管、第十七PMOS管、第十八PMOS管、第十九PMOS管、第二十PMOS管、第二十一PMOS管； 所述第十五PMOS管、所述第十六PMOS管、所述第十七PMOS管、所述第十八PMOS管、所述第七三极管和所述第八三极管组成自偏置结构；所述第十五PMOS管的源极与所述第十六PMOS管的源极与电源电压端口相连； 所述第二十PMOS管和所述第二十一PMOS管构成共源共栅电流镜；所述第二十PMOS管的源极与电源电压端口相连； 所述第五NMOS管的漏极与所述第十八PMOS管的栅极、所述第十六PMOS管的栅极、所述第十九PMOS管的栅极相连，所述第五NMOS管的栅极和所述第八电阻的一端与所述第七NMOS管的漏极相连；所述第五NMOS管的源极接地； 所述第十九PMOS管的源极和所述第八电阻的另一端与电源电压端口相连； 所述第七NMOS管的栅极与所述第六NMOS管的栅极和漏极相连；所述第七NMOS管的源极和所述第六NMOS管的源极接地； 所述第九三极管的基极与所述第十三极管的集电极相连，所述第九三极管的集电极与所述第十三极管的基极相连；所述第十三极管的发射极与第七电阻的一端相连；所述第七电阻的另一端和所述第九三极管的发射极接地。

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