上海晶盟硅材料有限公司张晓艳获国家专利权
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龙图腾网获悉上海晶盟硅材料有限公司申请的专利晶圆冲洗效果检测方法、装置、设备以及存储介质获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116313866B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310237689.9,技术领域涉及:H01L21/66;该发明授权晶圆冲洗效果检测方法、装置、设备以及存储介质是由张晓艳;吴勇;王康锋;顾广安设计研发完成,并于2023-03-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶圆冲洗效果检测方法、装置、设备以及存储介质在说明书摘要公布了:本公开的实施例提供了一种晶圆冲洗效果检测方法、装置、设备以及存储介质,应用于半导体技术领域。该方法包括:获取晶圆位于目标水槽内时目标水槽内纯水的电阻率数据,其中,目标水槽为干燥槽前最后一个水槽;根据目标水槽内纯水的电阻率数据生成纯水电阻率变化曲线;根据纯水电阻率变化曲线对晶圆进行冲洗效果检测。以此方式,可以实现对晶圆冲洗效果的检测,确定晶圆表面是否残留化学试剂,进而避免冲洗效果不佳的晶圆流至下道工序。
本发明授权晶圆冲洗效果检测方法、装置、设备以及存储介质在权利要求书中公布了:1.一种晶圆冲洗效果检测方法,其特征在于,所述方法包括: 获取晶圆位于目标水槽内时目标水槽内纯水的电阻率数据,其中,所述目标水槽为干燥槽前最后一个水槽; 根据所述目标水槽内纯水的电阻率数据生成纯水电阻率变化曲线; 根据所述纯水电阻率变化曲线对所述晶圆进行冲洗效果检测; 所述获取晶圆位于目标水槽内时目标水槽内纯水的电阻率数据,包括: 通过部署在所述目标水槽内的电阻率测量设备,对目标水槽内纯水的电阻率进行实时测量,得到各时刻纯水的电阻率数据; 从各时刻纯水的电阻率数据中提取晶圆位于目标水槽内时纯水的电阻率数据; 所述电阻率测量设备在所述目标水槽内的部署位置是最优部署位置,所述最优部署位置是通过以下步骤确定的: 获取在所述目标水槽内部署的多个电阻率测量设备在目标时间段内测量的纯水的电阻率数据; 其中,多个电阻率测量设备的部署位置不同,所述目标时间段是未冲洗晶圆进入所述目标水槽直至离开所述目标水槽的时间段; 根据各电阻率测量设备在目标时间段内测量的纯水的电阻率数据,计算各电阻率测量设备对应的电阻率极差; 根据各电阻率测量设备对应的电阻率极差对各电阻率测量设备进行聚类,得到多个设备集合; 根据各设备集合中各电阻率测量设备对应的电阻率极差,计算各设备集合对应的电阻率极差平均值; 从多个设备集合中选择电阻率极差平均值最大的设备集合为目标设备集合; 根据目标设备集合中各电阻率测量设备的部署位置构建空间模型; 确定所述空间模型的中心点所在位置为电阻率测量设备的最优部署位置。
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