河南大学罗彩勤获国家专利权
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龙图腾网获悉河南大学申请的专利一种钽掺杂二氧化铪铁电薄膜、其制备方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116445870B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310232577.4，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种钽掺杂二氧化铪铁电薄膜、其制备方法及应用是由罗彩勤;张伟风;贾彩虹设计研发完成，并于2023-03-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种钽掺杂二氧化铪铁电薄膜、其制备方法及应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种钽掺杂二氧化铪铁电薄膜、其制备方法及应用，将Ta金属靶材与HfO2陶瓷靶材，利用多靶材共磁控溅射设备，通过控制溅射功率，获得具有不同Ta掺杂比例的Ta:HfO2薄膜。另外，通过调节溅射功率与工作气体Ar:O2比例，Ta:HfO2薄膜的剩余极化强度Pr可以达到100μCcm2，相比文献中报道的数据提高了4‑10倍。将其用于仿生物突触器件中，通过控制功能层生长过程中的氧流量、调节突触测试中电脉冲宽度、改变外接串联电阻的阻值实现了突触器件长时程增强与抑制的转变调控。本发明拓宽了仿生突触器件介质层材料的选择范围，且本发明提出的突触器件结构制备工艺简单、稳定，有利于工业中大规模生产。
本发明授权一种钽掺杂二氧化铪铁电薄膜、其制备方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种钽掺杂二氧化铪铁电薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法具体包括如下步骤： （1）准备衬底，对其进行清洗干燥处理； （2）在衬底上溅射或者蒸镀Ti层，再在Ti层上溅射或者蒸镀Pt底电极； （3）采用共磁控溅射法在Pt底电极上制备Ta:HfO2：所用靶材为HfO2陶瓷靶与Ta金属靶材；真空腔的背底真空＜10-4Pa，衬底加热到500℃，工作气氛为Ar与O2混合气；HfO2陶瓷靶交流溅射功率70W，Ta金属靶材直流溅射功率为6W，Ar气流量为100sccm，O2流量为10sccm；开始共溅射，Ta:HfO2薄膜厚度由溅射时间决定；Ar气与O2气混合气体工作压强为1.0Pa，通过控制溅射时间获得Ta:HfO2薄膜的厚度为20～100nm。
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