西安电子科技大学刘马良获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种宽带高隔离度单刀五置开关获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116743145B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310215797.6,技术领域涉及:H03K17/693;该发明授权一种宽带高隔离度单刀五置开关是由刘马良;魏雨薇;陈亦飞;谢慧全;王天瑞;王子彧设计研发完成,并于2023-03-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种宽带高隔离度单刀五置开关在说明书摘要公布了:本发明涉及一种宽带高隔离度单刀五置开关,第一至第五开关并联形成五路通道电路;射频输入信号经过第一电感后输入至五路通道电路中;其中,每路通道电路均包括:第二电感、第三电感、第一堆叠MOS管、第二堆叠MOS管、第三堆叠MOS管和第四堆叠MOS管;第一堆叠MOS管、第二电感、第三电感和第四堆叠MOS管依次串联,第二堆叠MOS管连接在第二电感的第二端与接地端之间,第三堆叠MOS管连接在第三电感的第二端与接地端之间;通过控制第一堆叠MOS管、第二堆叠MOS管、第三堆叠MOS管和第四堆叠MOS管的栅控制电压和衬底控制电压实现通道电路的导通和关断。本发明通过电感频率补偿结构补偿寄生电容对带宽的影响,具有插入损耗小、带宽高和隔离度高和的特性。
本发明授权一种宽带高隔离度单刀五置开关在权利要求书中公布了:1.一种宽带高隔离度单刀五置开关,其特征在于,包括:第一电感L1、第一开关CH1、第二开关CH2、第三开关CH3、第四开关CH4和第五开关CH5; 所述第一电感L1的第一端作为射频信号的输入端输入射频输入信号RFIN; 所述第一开关CH1、所述第二开关CH2、所述第三开关CH3、所述第四开关CH4和所述第五开关CH5并联形成的五路通道电路; 所述第一电感L1的第二端分别连接每路通道电路的输入端; 其中,每路通道电路均包括:第二电感L2、第三电感L3、第一堆叠MOS管MS1、第二堆叠MOS管MS2、第三堆叠MOS管MS3和第四堆叠MOS管MS4; 所述第一堆叠MOS管MS1、所述第二电感L2、所述第三电感L3和所述第四堆叠MOS管MS4依次串联,所述第二堆叠MOS管MS2连接在所述第二电感L2的第二端与接地端之间,所述第三堆叠MOS管MS3连接在所述第三电感L3的第二端与接地端之间; 所述第一堆叠MOS管MS1的第一端作为通道电路的输入端连接所述第一电感L1的第二端,所述第四堆叠MOS管MS4的第二端作为通道电路的输出端输出射频输出信号; 通过控制所述第一堆叠MOS管MS1、所述第二堆叠MOS管MS2、所述第三堆叠MOS管MS3和所述第四堆叠MOS管MS4的栅控制电压和衬底控制电压实现通道电路的导通和关断。
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