江西兆驰半导体有限公司郑文杰获国家专利权
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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利一种发光二极管外延片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116230821B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310066474.5，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权一种发光二极管外延片及其制备方法是由郑文杰;程龙;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2023-02-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种发光二极管外延片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种发光二极管外延片及其制备方法，外延片包括：依次层叠的衬底、低温GaN缓冲层、未掺杂的高温GaN缓冲层、n型GaN层、发光层、电子阻挡层、p型GaN层、p型接触层；发光层由第一多量子阱垒层、n型隔离层、应力补偿层、第二多量子阱垒层、p型隔离层、第三多量子阱垒层依次层叠组成；第一多量子阱垒层的各垒层中In组分的含量均沿外延生长方向由大到小线性渐变、Al组分的含量均沿外延生长方向由小到大线性渐变，第二多量子阱垒层的各垒层中In组分的含量均沿外延生长方向由小到大线性渐变、Al组分的含量均沿外延生长方向由大到小线性渐变。
本发明授权一种发光二极管外延片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括： 依次层叠的衬底、低温GaN缓冲层、未掺杂的高温GaN缓冲层、n型GaN层、发光层、电子阻挡层、p型GaN层、p型接触层； 所述发光层由第一多量子阱垒层、n型隔离层、应力补偿层、第二多量子阱垒层、p型隔离层、第三多量子阱垒层依次层叠组成； 所述第一多量子阱垒层的各垒层中In组分的含量均沿外延生长方向由大到小线性渐变，所述第二多量子阱垒层的各垒层中In组分的含量均沿外延生长方向由小到大线性渐变； 所述第一多量子阱垒层的各垒层中Al组分的含量均沿外延生长方向由小到大线性渐变，所述第二多量子阱垒层的各垒层中Al组分的含量均沿外延生长方向由大到小线性渐变； 所述第一多量子阱垒层、第二多量子阱垒层和第三多量子阱垒层的各阱层均在N2气氛下生长而成，所述第一多量子阱垒层、第二多量子阱垒层和第三多量子阱垒层的各垒层均在H2气氛下生长而成，发光层中的阱层均为氮极性，垒层均为镓极性。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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