TCL华星光电技术有限公司陈炜锋获国家专利权
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龙图腾网获悉TCL华星光电技术有限公司申请的专利驱动芯片、显示装置及驱动芯片的调试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115831029B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211680176.7，技术领域涉及：G09G3/20；该发明授权驱动芯片、显示装置及驱动芯片的调试方法是由陈炜锋;蓝庆生设计研发完成，并于2022-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本驱动芯片、显示装置及驱动芯片的调试方法在说明书摘要公布了：本发明公开驱动芯片、显示装置及驱动芯片的调试方法。驱动芯片通过使控制模块根据实际电磁辐射的频率、存储模块存储的电磁辐射频率与电磁辐射抑制参数之间的映射关系，向电磁辐射抑制模块输出控制信号，使电磁辐射抑制模块提供具有实际电磁辐射抑制参数的器件改善实际电磁辐射。显示装置包括驱动芯片。驱动芯片的调试方法将驱动芯片依次设置在具有不同频率的电磁辐射环境中，通过控制控制模块依次发送多个控制信号至电磁辐射抑制模块，使电磁辐射抑制模块依次提供多个电磁辐射抑制参数，根据对电磁辐射的抑制效果，从多个电磁辐射抑制参数中确定第一电磁辐射抑制参数，并将第一电磁辐射抑制参数与电磁辐射频率的映射关系存储至存储模块。
本发明授权驱动芯片、显示装置及驱动芯片的调试方法在权利要求书中公布了：1.一种驱动芯片，其特征在于，包括： 存储模块，被配置为存储电磁辐射频率与电磁辐射抑制参数之间的映射关系； 控制模块，被配置为根据实际电磁辐射的频率和所述映射关系输出控制信号；其中，所述控制信号包括第一控制信号和第二控制信号；在所述实际电磁辐射的所述频率小于或等于第一电磁辐射阈值时，所述控制模块被配置为输出所述第一控制信号；在所述实际电磁辐射的所述频率大于第二电磁辐射阈值时，所述控制模块被配置为输出所述第二控制信号；以及 电磁辐射抑制模块，被配置为根据所述控制信号提供具有对应的电磁辐射抑制参数的器件以抑制所述实际电磁辐射；其中，所述电磁辐射抑制模块包括低频抑制单元和高频抑制单元，所述低频抑制单元被配置为根据所述第一控制信号抑制所述实际电磁辐射，所述高频抑制单元被配置为根据所述第二控制信号抑制所述实际电磁辐射。
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