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龙图腾网获悉南通大学;南通天承光电科技有限公司申请的专利一种基于玻璃微探针的平面微纳沉积控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116397287B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211669023.2，技术领域涉及：C25D1/00；该发明授权一种基于玻璃微探针的平面微纳沉积控制方法是由徐海黎;杨雅雯;陈妍;童义竣;沈标;邢强设计研发完成，并于2022-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于玻璃微探针的平面微纳沉积控制方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于玻璃微探针的平面微纳沉积控制方法，包括：获取沉积平面的基点坐标；获取待沉积模型的二维沉积路径并离散；获取沉积平面的平面方程，将二维沉积路径代入平面方程得到三维沉积路径；将探针移动至第一个沉积点进行沉积；驱动Z轴压电陶瓷将探针移动至下一个沉积点的Z轴坐标向上跳跃间距d1处；驱动X、Y轴压电陶瓷将探针移动至下一个沉积点的上方；驱动Z轴压电陶瓷，将探针向下移动至该沉积点的Z轴坐标向上跳跃间距d2处进行沉积；依次对其余的沉积点进行微跳跃沉积，直至沉积结束。本发明通过改变Z轴坐标的向上跳跃间距，在保持微液桥连接不断裂的状态下进行沉积，具有沉积结构均匀、速度快、精度高等优点。

本发明授权一种基于玻璃微探针的平面微纳沉积控制方法在权利要求书中公布了：1.一种基于玻璃微探针的平面微纳沉积控制方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：获取沉积平面的基点坐标X0,Y0,Z0； S2：获取待沉积模型的二维沉积路径，并将所述二维沉积路径离散成N个沉积点，每个所述沉积点的坐标记为Xi,Yi,Zi；其中，1≤i≤N，N为正整数； S3：获取所述沉积平面的平面方程，并将所述二维沉积路径代入所述平面方程，得到基于所述沉积平面的三维沉积路径； S4：驱动X轴压电陶瓷和Y轴压电陶瓷，将探针移动至第一个沉积点上方的坐标X1,Y1,Z0+Q处；其中，Q为大于0的常数，且常数Q的值不小于导电基底的倾斜高度差，所述探针位于所述导电基底的上方； S5：驱动Z轴压电陶瓷，将所述探针向下移动，直至所述探针的底部接触所述导电基底，停顿时间t_dep进行沉积； S6：保持X轴和Y轴坐标不变，驱动所述Z轴压电陶瓷，将所述探针移动至下一个沉积点的Z轴坐标向上跳跃间距d1处，且d1＜R，R为所述探针的尖端开口半径； S7：保持Z轴坐标不变，驱动所述X轴压电陶瓷和所述Y轴压电陶瓷，将所述探针移动至下一个沉积点的上方； S8：保持X轴和Y轴坐标不变，驱动所述Z轴压电陶瓷，将所述探针向下移动至该沉积点的Z轴坐标向上跳跃间距d2处，停顿时间t_dep进行沉积；其中，Vm·t_dep＜d2＜d1，Vm为所述探针的沉积移动速率，t_dep为沉积停顿时间； S9：重复步骤S6～步骤S8，依次对其余的沉积点进行微跳跃沉积，直至沉积结束； S10：驱动所述Z轴压电陶瓷将所述探针向上移动，与所述导电基底分离，完成沉积工作。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人南通大学;南通天承光电科技有限公司，其通讯地址为：226100 江苏省南通市啬园路9号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。