西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司梁鹏欢获国家专利权
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龙图腾网获悉西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司申请的专利用于硅片的外延生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115928205B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211616092.7，技术领域涉及：C30B25/18；该发明授权用于硅片的外延生长方法是由梁鹏欢;王力设计研发完成，并于2022-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于硅片的外延生长方法在说明书摘要公布了：本公开涉及用于硅片的外延生长方法，其包括：在反应腔室的基座的用于放置硅片的表面上形成多晶硅层；使硅片进入反应腔室以被置于基座的表面上并向反应腔室通入H2；使反应腔室的温度达到第一预定温度；在第一预定温度下对硅片的表面进行H2烘烤持续第一预定时间；使反应腔室的温度达到第二预定温度；在第二预定温度下向反应腔室通入HCl气体持续第二预定时间；向反应腔室通入SiHCl3气体以在硅片的表面上沉积成膜；以及对反应腔室进行H2吹扫并使硅片卸载退出反应腔室。通过该方法，可以改善外延硅片表面的雾状缺陷。
本发明授权用于硅片的外延生长方法在权利要求书中公布了：1.一种用于硅片的外延生长方法，其特征在于，包括： 在反应腔室的基座的用于放置硅片的表面上形成多晶硅层； 使所述硅片进入所述反应腔室以被置于所述基座的所述表面上并向所述反应腔室通入H2； 使所述反应腔室的温度达到第一预定温度； 在所述第一预定温度下对所述硅片的表面进行H2烘烤持续第一预定时间； 使所述反应腔室的温度达到第二预定温度； 在所述第二预定温度下向所述反应腔室通入HCl气体持续第二预定时间； 向所述反应腔室通入SiHCl3气体以在所述硅片的表面上沉积成膜；以及 对所述反应腔室进行H2吹扫并使所述硅片卸载退出所述反应腔室， 所述外延生长方法还包括在所述使所述硅片进入所述反应腔室以被置于所述基座的所述表面上之前，将设置在所述基座的上侧的用于加热所述反应腔室的上灯模组的热发射率控制成比设置在所述基座的下侧的用于加热所述反应腔室的下灯模组的热发射率高。
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