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龙图腾网获悉安徽烯宇科技有限公司申请的专利一种纳米银线-铜线梯度分布电磁屏蔽膜及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115768096B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211602791.6，技术领域涉及：H05K9/00；该发明授权一种纳米银线-铜线梯度分布电磁屏蔽膜及制备方法是由甘李;李建军;向俊桥;周明设计研发完成，并于2022-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种纳米银线-铜线梯度分布电磁屏蔽膜及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及电磁屏蔽膜制备技术领域，且公开了一种纳米银线‑铜线梯度分布电磁屏蔽膜及制备方法，通过双槽电沉积方法和熔融法制备得到了成分比例可控的一维交替型梯度分布纳米银线‑铜线阵列，其长度范围在1μm‑100μm、直径范围在40‑60nm，以其作为屏蔽材料，以聚氯乙烯PVC、聚酯膜或玻璃膜中的一种为基底材料，制备得到的电磁屏蔽膜在550nm波长处的光学透过率在80％以上、电磁屏蔽性能在20‑30dB。本发明在克服了银纳米线高成本和铜纳米线透光性能差的同时，实现了同时保持优秀透光性能和电磁屏蔽性能的优异技术效果。

本发明授权一种纳米银线-铜线梯度分布电磁屏蔽膜及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种纳米银线-铜线梯度分布电磁屏蔽膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤一，分别采用去离子水、无水乙醇洗涤基底材料，去除表面的污渍，之后超声振动； 步骤二，通过双槽电沉积方法和熔融法制备成分比例可控的长度50μm、直径50nm且呈一维交替型梯度分布的纳米银线-铜线阵列，把该纳米银线-铜线阵列配制成浓度为0.1-5mgmL的无水乙醇悬浮液，超声振荡，使其在溶剂中分散均匀； 步骤三，将步骤一中的基底材料垂直固定于提拉机的工作手臂上，以浸渍速度为40-80mmmin移动基底使其浸渍到步骤二中的悬浮液中，当基底材料完全浸在悬浮液中时，静置，基底材料开始以提升速度为80-120mmmin离开悬浮液，完全脱离溶液后，自然干燥，将浸渍过程重复三次，之后真空干燥至恒重，得到纳米银线-铜线梯度分布电磁屏蔽膜； 双槽电沉积方法为： 步骤1，将银的电沉积液倒入Ag电沉淀槽，让带有氧化铝膜的阴极在Ag电沉淀槽中沉淀银纳米线； 步骤2，取出步骤1中氧化铝膜的纳米孔道中沉积有银纳米线的阴极，放入去离子水中浸泡清洗，将银的电沉积液清理干净； 步骤3，将铜的电沉积液倒入Cu电沉淀槽，让步骤2中清洗之后的阴极在Cu电沉淀槽中沉淀铜纳米线； 步骤4，取出步骤3中氧化铝膜的纳米孔道中沉积有银纳米线-铜纳米线的阴极，放入去离子水中浸泡清洗，将铜的电沉积液清理干净； 重复上述步骤1、步骤2、步骤3、步骤4的制备过程50-200次，交替沉积纳米银线和纳米铜线； 银纳米线的沉积条件为：室温下沉积电压、0.5V；沉积电流、1.25mAcm2；沉淀时间、10-50s；沉淀长度、100-500nm； 铜纳米线的沉积条件为：室温下沉积电压、1.2V；沉积电流、1.75mAcm2；沉淀时间、20-100s；沉淀长度、100-500nm。

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