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龙图腾网获悉武汉锐晶激光芯片技术有限公司申请的专利一种分子束外延设备生长室组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118180074B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211604480.3，技术领域涉及：B08B9/087；该发明授权一种分子束外延设备生长室组件是由徐马记;王威;徐豪;胡韵爽;贺慧婷设计研发完成，并于2022-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种分子束外延设备生长室组件在说明书摘要公布了：本申请提供一种分子束外延设备生长室组件，包括腔体、衬底支架、源炉坩埚、第一挡板、衬板和第一盖体组件；衬底支架连接有待镀膜件；源炉坩埚朝向安装于腔体；源炉坩埚用于向处于衬底支架的待镀膜件镀膜；第一挡板可转动地连接于衬底支架；第一盖体组件设置于腔体的底部；第一盖体组件包括第一盖体和第一清洁件，第一盖体安装于腔体的底部，并盖合腔体的底部；第一清洁件可伸缩地连接于第一盖体，并朝向第一挡板移动，以便于第一清洁件清洁处于第一挡板及衬底支架上的膜渣，并且保证处于第一挡板的膜渣的掉落至腔体底部，避免处于第一挡板的膜渣影响待镀膜件的工作环境，并且脱离第一挡板的膜渣掉落至衬板，衬板承接脱离第一挡板的膜渣。

本发明授权一种分子束外延设备生长室组件在权利要求书中公布了：1.一种分子束外延设备生长室组件，其特征在于，包括： 腔体，设有圆锥部； 衬底支架，安装于所述腔体，并容纳于所述腔体内；所述衬底支架连接有待镀膜件； 源炉坩埚，安装于所述腔体，并朝向所述衬底支架；所述源炉坩埚用于向处于所述衬底支架的所述待镀膜件镀膜； 第一挡板，可转动地连接于所述衬底支架，并遮盖经镀膜后的所述待镀膜件； 多个衬板，环形铺设于所述圆锥部，并相互贴合； 第一盖体组件，设置于所述腔体的底部；所述第一盖体组件包括第一盖体和第一清洁件，所述第一盖体安装于所述腔体的底部，并盖合所述腔体的底部；所述第一清洁件可伸缩地连接于所述第一盖体，并朝向所述第一挡板移动，以清洁处于所述第一挡板的膜渣和处于所述待镀膜件的膜渣，使得膜渣掉落至所述衬板； 所述第一清洁件相对于所述第一挡板布置，并沿竖直方向靠近所述第一挡板；所述第一清洁件的顶部设有软体清洁部，所述软体清洁部用于清洁处于所述第一挡板的膜渣； 所述第一盖体设有第一通孔，所述第一通孔的外侧设有第一磁块，所述第一清洁件设有金属杆，所述金属杆和所述第一磁块进行磁性作用，使得所述第一清洁件可伸缩地连接所述第一盖体；所述金属杆的一端与所述第一通孔球形活动连接； 第一清洁件可在120°范围内自由旋转，范围能覆盖衬板、衬底托和衬底挡板，利用自由伸缩和旋转的功能清理衬板、衬底托和衬底挡板下表面沉积的源渣，使其掉落至底部法兰口的收集槽上，保证腔体内气体氛围长期稳定，确保镀膜工艺稳定性； 利用生长室底部的可伸缩清洁杆，在底部观察窗的辅助下对样品托位置进行微调，校准点位，保证设备运行稳定性； 衬板承接脱离第一挡板的膜渣和处于待镀膜件的膜渣，并且相对于圆锥部可以进行更换。

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