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龙图腾网获悉北京铭镓半导体有限公司申请的专利一种快速确定磷化铟切割片及其晶棒定位面取向的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115728119B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211446917.5，技术领域涉及：G01N1/32；该发明授权一种快速确定磷化铟切割片及其晶棒定位面取向的方法是由吴忠亮;吕进;赵德刚;胡开朋设计研发完成，并于2022-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种快速确定磷化铟切割片及其晶棒定位面取向的方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种快速确定磷化铟切割片及其晶棒定位面取向的方法。该方法包括以下步骤：S1，采用手工抛光液对从磷化铟晶棒端面切取的（100）面切割片进行手工抛光；S2，将抛光过后的磷化铟切割片与第一腐蚀液接触后进行第一次腐蚀；S3，对第一次腐蚀后的磷化铟切割片清洗后与第二腐蚀液接触进行第二次腐蚀；S4，对第二次腐蚀后的磷化铟切割片清洗和干燥后，用光学显微镜观察第二次腐蚀后的磷化铟切割片上的位错腐蚀坑的形状，即可确定磷化铟切割片及其晶棒的定位面的取向；其中第二腐蚀液中包含氢溴酸的质量分数为39~41%的氢溴酸溶液。该方法允许抛光表面存在一定数量的划痕，且整个过程可在1小时内完成，提高了生产效率。

本发明授权一种快速确定磷化铟切割片及其晶棒定位面取向的方法在权利要求书中公布了：1.一种快速确定磷化铟切割片及其晶棒定位面取向的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤： S1，采用手工抛光液对从磷化铟晶棒端面切取的（100）面切割片进行手工抛光，获得抛光过后的磷化铟切割片； S2，将所述抛光过后的磷化铟切割片与第一腐蚀液接触后进行第一次腐蚀，获得第一次腐蚀后的磷化铟切割片； S3，对所述第一次腐蚀后的磷化铟切割片清洗后与第二腐蚀液接触进行第二次腐蚀，获得第二次腐蚀后的磷化铟切割片； S4，对第二次腐蚀后的磷化铟切割片清洗和干燥后，在光学显微镜下观察第二次腐蚀后的磷化铟切割片上的位错腐蚀坑的形状，即可确定磷化铟切割片及其晶棒的定位面的取向； 其中所述第二腐蚀液由氢溴酸溶液和水组成，所述氢溴酸溶液与水的体积比为3.5:1，氢溴酸溶液中氢溴酸的质量分数为40%； 所述第一腐蚀液中包括酸溶液、双氧水溶液和水；所述酸溶液由硫酸溶液和柠檬酸溶液组成，所述硫酸溶液和柠檬酸溶液的体积比为6:1；所述硫酸溶液中硫酸的质量分数为98%；所述柠檬酸溶液中柠檬酸的质量分数为45%；所述第一腐蚀液中，酸溶液、双氧水溶液和水的体积比为（0.8~1.2）:（3~6）:（10~15）； 所述位错腐蚀坑为长方形，所述长方形的长边平行于（0-1-1）晶面，短边平行于（0-11）晶面。

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