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龙图腾网获悉江苏第三代半导体研究院有限公司申请的专利一种Micro-LED芯片结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115642209B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211351660.5，技术领域涉及：H10H29/01；该发明授权一种Micro-LED芯片结构及其制备方法是由李增林;王国斌设计研发完成，并于2022-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种Micro-LED芯片结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种Micro‑LED芯片结构及其制备方法，该制备方法包括：采用第一次刻蚀工艺对外延片进行刻蚀，去除外延片上的部分第二氮化物层、部分多量子阱发光层和部分第一氮化物层，形成刻蚀凹槽和多个台面，刻蚀凹槽处露出第一氮化物层；采用第二次刻蚀工艺对刻蚀凹槽的侧壁上的量子阱损伤进行第一次修复处理，刻蚀凹槽的侧壁形成斜坡状；采用第三次刻蚀工艺对刻蚀凹槽的部分侧壁上的量子阱损伤进行第二次修复处理，使刻蚀凹槽的侧壁包括至少两个斜面。通过两次修复损伤的量子阱，降低Micro‑LED的尺寸效应带来的不利影响，还可以额外增加上下各两层的斜坡壁面反射，进而提高Micro‑LED的量子效率。

本发明授权一种Micro-LED芯片结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种Micro-LED芯片结构的制备方法，其特征在于，包括： 采用第一次刻蚀工艺对外延片进行刻蚀，所述外延片包括自下而上层叠设置的生长衬底、第一氮化物层、多量子阱发光层和第二氮化物层，去除所述外延片上的部分所述第二氮化物层、部分所述多量子阱发光层和部分所述第一氮化物层，形成刻蚀凹槽和多个台面，所述刻蚀凹槽处露出所述第一氮化物层；所述第一次刻蚀工艺为干法刻蚀工艺； 采用第二次刻蚀工艺对所述刻蚀凹槽的侧壁上的量子阱损伤进行第一次修复处理，所述刻蚀凹槽的侧壁形成斜坡状且所述刻蚀凹槽形成为梯形槽结构；所述第二次刻蚀工艺为干法刻蚀工艺或湿法腐蚀工艺，当所述第二次刻蚀工艺为干法刻蚀工艺时，所述第二次刻蚀工艺的刻蚀功率小于所述第一次刻蚀工艺的刻蚀功率； 采用第三次刻蚀工艺对所述刻蚀凹槽的部分侧壁上的量子阱损伤进行第二次修复处理，使所述刻蚀凹槽的侧壁包括至少两个斜面，且所述刻蚀凹槽的侧壁呈V字型；所述第三次刻蚀工艺为湿法腐蚀工艺。

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