杭州富芯半导体有限公司沈志钦获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州富芯半导体有限公司申请的专利半导体结构的制备方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115513122B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211313541.0，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权半导体结构的制备方法及半导体结构是由沈志钦设计研发完成，并于2022-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的制备方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体结构制备方法，包括：形成沟槽于半导体衬底中；形成氧化层于半导体衬底的表面上以及沟槽的底部和侧壁；透过干法刻蚀部份刻蚀氧化层而形成氧化区，其中氧化区为阶梯状结构；部分刻蚀氧化区以暴露半导体衬底的边缘的表面，刻蚀后氧化区作为氧化隔离结构。透过半导体结构制备方法所制成的氧化隔离结构能适应纳米电子零件的隔离结构，而不会影响纳米电子零件的运作并减少有源区面积的应用。
本发明授权半导体结构的制备方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括步骤： 形成沟槽T1于半导体衬底10中； 形成氧化层OL1于所述半导体衬底10的表面上以及所述沟槽T1的底部和侧壁； 通过干法刻蚀部分刻蚀所述氧化层OL1，形成多层氧化子层，将所述多层氧化子层作为氧化区OR1，其中所述氧化区OR1为阶梯状结构；以及 通过干法刻蚀部分刻蚀所述多层氧化子层，以圆滑化所述多层氧化子层并减薄所述多层氧化子层中靠近所述半导体衬底10的表面的所述氧化子层；以及 通过湿法刻蚀部分刻蚀所述多层氧化子层中靠近所述半导体衬底10的表面的所述氧化子层，以暴露所述半导体衬底10的边缘的表面，刻蚀后所述氧化区OR1作为氧化隔离结构20。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人杭州富芯半导体有限公司，其通讯地址为：310000 浙江省杭州市滨江区西兴街道联慧街6号1-1301；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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