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龙图腾网获悉杭州富芯半导体有限公司申请的专利半导体结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115632039B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211251990.7，技术领域涉及：H01L23/522；该发明授权半导体结构的制备方法是由张宏敏设计研发完成，并于2022-10-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体结构的制备方法，包括步骤：提供基底；于基底表面依次形成第一刻蚀阻挡层、第一介质层、第二刻蚀阻挡层及第二介质层；形成第一光刻胶层，定义出通孔图形；形成通孔；于通孔内填充底部抗反射层；进行回刻，以使底部抗反射层的高度低于通孔深度；形成第二光刻胶层，于第二光刻胶层中形成沟槽图形，沟槽图形位于通孔正上方，且沟槽图形尺寸大于通孔尺寸；形成沟槽，沟槽位于通孔的上部，且停止于第二刻蚀阻挡层处；去除通孔内剩余的底部抗反射层、第一刻蚀阻挡层和第二刻蚀阻挡层，形成通孔上部形成有沟槽的漏斗结构；于漏斗结构内填充互连金属层。本申请有助于改善互连金属的填充，提高器件性能。

本发明授权半导体结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括步骤： 提供基底11； 于所述基底11表面依次形成第一刻蚀阻挡层13、第一介质层14、第二刻蚀阻挡层15及第二介质层16； 于所述第二介质层14表面形成第一光刻胶层17，进行图形化处理，以于所述第一光刻胶层17中定义出通孔图形18； 进行刻蚀以形成通孔19，所述通孔19向下依次贯穿所述第二介质层16、第二刻蚀阻挡层15及第一介质层14，直至显露出所述第一刻蚀阻挡层13； 于所述通孔19内填充底部抗反射层20； 对所述底部抗反射层22进行回刻，以使底部抗反射层20的高度低于通孔19深度； 形成覆盖所述通孔19及第二介质层16的第二光刻胶层21，进行图形化处理，以于第二光刻胶层21中形成沟槽图形22，所述沟槽图形22位于通孔19正上方，且沟槽图形尺寸大于通孔尺寸； 进行刻蚀以形成沟槽23，所述沟槽23位于通孔19的上部，且停止于第二刻蚀阻挡层15处，沟槽23的上部开口尺寸大于下部开口尺寸； 去除通孔19内剩余的底部抗反射层20、第一刻蚀阻挡层13和第二刻蚀阻挡层15，形成通孔19上部形成有所述沟槽23的漏斗结构27； 于漏斗结构内填充互连金属层25。

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