杭州芯迈半导体技术有限公司蔡金勇获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州芯迈半导体技术有限公司申请的专利沟槽型场效应晶体管及沟槽型场效应晶体管的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115497828B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211188475.9，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权沟槽型场效应晶体管及沟槽型场效应晶体管的制造方法是由蔡金勇;刘坚;董仕达;王振翰设计研发完成，并于2022-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本沟槽型场效应晶体管及沟槽型场效应晶体管的制造方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种沟槽型场效应晶体管的制造方法，包括：形成外延层于衬底上；形成沟槽在外延层中，其中沟槽从外延层的表面延伸至外延层的内部的沟槽；形成第一绝缘层和屏蔽导体在沟槽中，其中第一绝缘层包围屏蔽导体且部分填充沟槽；形成介质层于外延层上、第一绝缘层上及沟槽的侧壁；部分刻蚀介质层以形成介质区，其中介质区位于第一绝缘层上及沟槽的侧壁；以及形成第二绝缘层和栅极导体在沟槽中，其中第二绝缘层包围栅极导体且填充沟槽并延伸至外延层的表面上。透过本申请所形成的沟槽型场效应晶体管，可使栅极‑漏极电容的数值降低。
本发明授权沟槽型场效应晶体管及沟槽型场效应晶体管的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种沟槽型场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括： 形成外延层于衬底上； 形成沟槽在所述外延层中； 形成第一绝缘层和屏蔽导体在所述沟槽中，其中所述第一绝缘层包围所述屏蔽导体； 形成介质层于所述外延层上、所述第一绝缘层上及所述沟槽的侧壁； 刻蚀部分所述介质层以形成多数个介质区，其中所述介质区位于所述第一绝缘层上及所述沟槽的侧壁，并且两相邻的所述介质区之间具有一间距；以及 形成第二绝缘层和栅极导体在所述沟槽中，其中所述第二绝缘层包围所述栅极导体且填充所述沟槽。
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